HEAL DSpace

The Origin of Electron Mobility Enhancement in Strained MOSFETs

Αποθετήριο DSpace/Manakin

Εμφάνιση απλής εγγραφής

dc.contributor.author Hadjisavvas, G en
dc.contributor.author Tsetseris, L en
dc.contributor.author Pantelides, S en
dc.date.accessioned 2014-03-01T01:56:14Z
dc.date.available 2014-03-01T01:56:14Z
dc.date.issued 2007 en
dc.identifier.uri https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/28013
dc.subject First Principle en
dc.subject Interface Model en
dc.subject Mobility Model en
dc.subject Quantum Mechanics en
dc.title The Origin of Electron Mobility Enhancement in Strained MOSFETs en
heal.type journalArticle en
heal.identifier.primary 10.1109/LED.2007.906471 en
heal.identifier.secondary http://dx.doi.org/10.1109/LED.2007.906471 en
heal.publicationDate 2007 en
heal.abstract Straining Si MOS structures has been known to enhance electron mobilities. However, the origin of the effect has remained elusive as conventional modeling can only account for it by large ad hoc reduction of macroscopic interface roughness. Here, we report first-principle fully quantum-mechanical mobility calculations based on an atomic-scale interface model. Wave-function penetration into an oxide is automatically included. The en
heal.journalName IEEE Electron Device Letters en
dc.identifier.doi 10.1109/LED.2007.906471 en


Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αρχεία Μέγεθος Μορφότυπο Προβολή

Δεν υπάρχουν αρχεία που σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο.

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)

Εμφάνιση απλής εγγραφής