HEAL DSpace

Process and device characteristics of Pd nanocrystals MOS memory

Αποθετήριο DSpace/Manakin

Εμφάνιση απλής εγγραφής

dc.contributor.author Sargentis, C en
dc.contributor.author Giannakopoulos, K en
dc.contributor.author Travlos, A en
dc.contributor.author Tsamakis, D en
dc.date.accessioned 2014-03-01T02:49:20Z
dc.date.available 2014-03-01T02:49:20Z
dc.date.issued 2003 en
dc.identifier.uri https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/34534
dc.title Process and device characteristics of Pd nanocrystals MOS memory en
heal.type conferenceItem en
heal.identifier.primary 10.1109/ISDRS.2003.1272068 en
heal.identifier.secondary http://dx.doi.org/10.1109/ISDRS.2003.1272068 en
heal.publicationDate 2003 en
heal.abstract In this work we describe the fabrication of a MOS memory with embedded palladium nanocrystals within a SiO2 layer. For the deposition of Pd nanocrystals we used the MBE method. Only a few studies have been devoted to metal nanocrystals, as memory elements, although they have many advantages in comparsion to semiconductor nanocrystals. en
heal.journalName Semiconductor Device Research International Symposium en
dc.identifier.doi 10.1109/ISDRS.2003.1272068 en


Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αρχεία Μέγεθος Μορφότυπο Προβολή

Δεν υπάρχουν αρχεία που σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο.

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)

Εμφάνιση απλής εγγραφής