Χαρακτηρισμός στρωμάτων γραφενίου που παρασκευάσθηκαν μέσω μικρομηχανικής αποφλοίωσης γραφίτη

Φιλατζικιώτη, Αναστασία Σοφία; Filatzikioti, Anastasia Sofia

dc.contributor.author	Φιλατζικιώτη, Αναστασία Σοφία	el
dc.contributor.author	Filatzikioti, Anastasia Sofia	en
dc.date.accessioned	2015-04-23T09:53:12Z
dc.date.available	2015-04-23T09:53:12Z
dc.date.issued	2015-04-23
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/40577
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.8984
dc.rights	Default License
dc.subject	Γραφένιο	el
dc.subject	Φασματοσκοπία Raman	el
dc.subject	Μικρομηχανική αποφλοίωση γραφίτη	el
dc.subject	Ηλεκτρικές μετρήσεις στο γραφένιο	el
dc.subject	Γραφίτης	el
dc.subject	Graphene	en
dc.subject	Micro-Raman spectroscopy	en
dc.subject	Micromechanical exfoliation of graphite	en
dc.subject	Electrical measurements	en
dc.subject	Graphite	en
dc.title	Χαρακτηρισμός στρωμάτων γραφενίου που παρασκευάσθηκαν μέσω μικρομηχανικής αποφλοίωσης γραφίτη	el
dc.title	Characterization of graphene films produced by micromechanical exfoliation of graphite	en
heal.type	bachelorThesis
heal.classification	Φυσική	el
heal.classification	Μικροηλεκτρονική	el
heal.classification	Physics	en
heal.classification	Microelectronics	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2014-11-11
heal.abstract	Βασικό αντικείμενο της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η σύνθεση γραφενίου με τη μέθοδο της μικρομηχανικής αποφλοίωσης και ο χαρακτηρισμός του. Επιπλέον, μελετάται η συμπεριφορά γραφενίου ενός και δύο στρωμάτων σε χαμηλές θερμοκρασίες. Στη συνέχεια, σχηματίζεται μια διάταξη τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FET) και παρουσιάζονται οι χαρακτηριστικές καμπύλες ρεύματος τάσης. Η μικρομηχανική αποφλοίωση γίνεται διαχωρίζοντας τα γραφιτικά φύλλα με τη χρήση scotch tape. Το γραφένιο συντίθεται στην επιφάνεια καθαρού υποστρώματος 285 ή 300 nm SiO2/Si . Μετά τη σύνθεση του γραφενίου, ακολουθεί η χρήση οπτικού μικροσκοπίου για μία προσεγγιστική εικόνα του αριθμού των στρωμάτων του, και τέλος, ο χαρακτηρισμός του μέσω φασματοσκοπίας micro-Raman, όπου επιβεβαιώνεται το πάχος του δείγματος, αλλά και η ύπαρξη ή μη ατελειών. Σειρά έχουν οι ηλεκτρικές μετρήσεις του δείγματος γραφενίου, και η καταγραφή της συμπεριφοράς του σε χαμηλές θερμοκρασίες. Τέλος, στην πίσω πλευρά του δισκιδίου έχει εναποτεθεί οξείδιο του πυριτίου (SiO2), το οποίο αφαιρείται, και η πλευρά επιμεταλλώνεται ώστε να μελετηθεί το γραφένιο ως τρανζίστορ.	el
heal.abstract	The main objective of this Diploma Thesis is the synthesis of graphene samples using micromechanical exfoliation and its characterization. Moreover, we examine the way that graphene -which consists of one and two layers- behaves under low temperatures. Additionally, a Graphene Field Effect Transistor is examined (GFET) and the characteristics of current are shown. During the micromechanical exfoliation the removal of the graphitic layers is made by using scotch tape. The graphene sample is synthesized on a clean substrate SiO2/Si of 285 or 300 nm oxide thickness. After the synthesis, we check our sample for graphene, using an optical microscope. Finally, the number identification of the graphene layers and the existence of defects is obtained through micro-Raman spectroscopy. Moreover, we study the electrical behavior of our samples, and we test them under low temperatures. Finally, there was grown silicon oxide at the back of the substrate which is now removed, so this area is sputtered and follows the study of graphene as a field-effect transistor.	en
heal.advisorName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Ράπτης, Ιωάννης	el
heal.committeeMemberName	Ζεργιώτη, Ιωάννα	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	81 σ.	el
heal.fullTextAvailability	true