Θεωρητικός υπολογισμός ρευμάτων νανοηλεκτρονικής.Εφαρμογή σε νανοσωματίδια εντός ηλεκτρονικών μνημών.

Αναστασόπουλος, Ανδρέας

dc.contributor.author	Αναστασόπουλος, Ανδρέας	el
dc.date.accessioned	2016-09-05T08:07:52Z
dc.date.available	2016-09-05T08:07:52Z
dc.date.issued	2016-09-05
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/43392
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.2286
dc.rights	Default License
dc.subject	Μη πτητικές μνήμες με μεταλλικά νανοσωματίδια,Non volatile memories with metallic nanoparticles	el
dc.title	Θεωρητικός υπολογισμός ρευμάτων νανοηλεκτρονικής.Εφαρμογή σε νανοσωματίδια εντός ηλεκτρονικών μνημών.	el
heal.type	doctoralThesis
heal.classification	ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΚΑΙ ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ	el
heal.classificationURI	http://data.seab.gr/concepts/985654217613024cb9e11395d0f1fe73889f17cb
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2015-10-30
heal.abstract	Η παρούσα διατριβή ασχολείται με τη θεμελίωση μιας θεωρίας αγωγιμότητας ρευμάτων φαινομένου σήραγγας η οποία δε θα περιέχει αυθαίρετες παραμέτρους υπό τη μορφή «ενεργών επιφανειών». Η θεωρία αυτή χρησιμοποιεί την εξίσωση Poisson και την Κβαντομηχανική προσέγγιση WKB σε τρείς διαστάσεις. Η θεωρία αυτή όταν εφαρμοστεί σε μη πτητικές διατάξεις μνήμης με μεταλλικά νανοσωματίδια δίνει τους χρόνους φόρτισης με 1,2,3 κλπ. Ηλεκτρόνια, δηλαδή τους χρόνους εγγραφής δεδομένων. Η σύγκριση με τα πειράματα επιβεβαιώνει την προτεινόμενη θεωρία. Αναλυτικότερα: Στο κεφάλαιο 1 δίνεται μια περιγραφή των μη πτητικών μνημών τύπου flash. Στο κεφάλαιο 2 δίνονται οι μηχανισμοί φόρτισης και η στοιχειώδης θεωρία μιας γεωμετρικής διάστασης. Στο κεφάλαιο 3 παρουσιάζεται η αναλυτική θεωρία και τα προηγούμενα μοντέλα για τη μελέτη του φαινομένου σήραγγας. Στο κεφάλαιο 4 παρουσιάζεται η προτεινόμενη θεωρία και η εφαρμογή της σε μη πτητικές μνήμες τύπου Si/SiO2/Pt/ SiO2/πύλη και υπολογίζονται οι χρόνοι φόρτισης. Η συμφωνία με το πείραμα είναι ικανοποιητική. Στο κεφάλαιο 5 παρουσιάζονται τα αποτελέσματα της προτεινόμενης θεωρίας σε μη πτητικές μνήμες Si/SiO2/Pt/ HfO2/πύλη. H συμφωνία με το πείραμα είναι παραπάνω από ικανοποιητική. Επίσης, στο τέλος του κεφαλαίου παρουσιάζονται τα συμπεράσματα της παρούσας διατριβής. Στο παράρτημα δίνονται τα υπολογιστικά προγράμματα και παρουσιάζεται αναλυτικά το περιβάλλον της προσομοίωσης.	el
heal.sponsor	Η παρούσα διατριβή έγινε με την υποτροφία ΗΡΑΚΛΕΙΤΟΣ	el
heal.advisorName	ΞΑΝΘΑΚΗΣ, ΙΩΑΝΝΗΣ	el
heal.committeeMemberName	ΓΛΥΤΣΗΣ, ΗΛΙΑΣ	el
heal.committeeMemberName	ΤΣΑΜΑΚΗΣ, ΔΗΜΗΤΡΗΣ	el
heal.committeeMemberName	ΞΑΝΘΑΚΗΣ, ΙΩΑΝΝΗΣ	el
heal.committeeMemberName	ΑΙΔΙΝΗΣ, ΚΩΣΤΑΝΤΙΝΟΣ	el
heal.committeeMemberName	ΓΑΡΔΕΛΗΣ, ΣΠΥΡΙΔΩΝ	el
heal.committeeMemberName	ΤΣΟΥΚΑΛΑΣ, ΔΗΜΗΤΡΗΣ	el
heal.committeeMemberName	ΡΟΥΜΕΛΙΩΤΗΣ, ΙΩΑΝΝΗΣ	el
heal.academicPublisher	Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	137
heal.fullTextAvailability	true