Οπτοηλεκτρονικές ιδιότητες transistor επίδρασης πεδίου
από γραφένιο

Κοκαβέσης, Μάρκος; Kokavesis, Markos

dc.contributor.author	Κοκαβέσης, Μάρκος	el
dc.contributor.author	Kokavesis, Markos	en
dc.date.accessioned	2016-10-31T13:25:00Z
dc.date.available	2016-10-31T13:25:00Z
dc.date.issued	2016-10-31
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/43949
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.13159
dc.rights	Default License
dc.subject	Γραφένιο	el
dc.subject	Field Effect Transistor Γραφενίου (GFET)	el
dc.subject	Μεταφορά γραφενίου	el
dc.subject	Μεταλλική επαφή	el
dc.subject	Πλατίνα	el
dc.subject	Graphene	en
dc.subject	Graphene Field Effect Transistor (GFET)	en
dc.subject	Graphene transfer	en
dc.subject	Metallic contact	en
dc.subject	Platinum	en
dc.title	Οπτοηλεκτρονικές ιδιότητες transistor επίδρασης πεδίου από γραφένιο	el
heal.type	bachelorThesis
heal.classification	Μικροηλεκτρονική και νανοηλεκτρονική	el
heal.classificationURI	http://data.seab.gr/concepts/985654217613024cb9e11395d0f1fe73889f17cb
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2016-10-10
heal.abstract	Στόχος της παρούσας διπλωματικής αποτέλεσε η μελέτη των Field Effect Transistor Γραφενίου με back gate (ηλεκτρόδιο πύλης στο υπόστρωμα). Συγκεκριμένα σχεδιάσθηκε μάσκα λιθογραφίας για τα GFET, εν συνεχεία ακολούθησε η κατασκευή αυτών στον καθαρό χώρο του Ινστιτούτο Νανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογιας. Στο επόμενο βήμα οι διατάξεις των GFET χαρκτηρίστικαν ηλεκτρικά και εξήχθησαν οι καμπύλες λειτουργίας τους. Τέλος, οι διατάξεις υποβλήθησαν σε έκθεση ακτινοβολίας διάφορων μηκών κύματος (ορατού και υπέρυθρου φωτός) με σκοπό την εξέταση της μεταβολής των χαρακτηριστικών καμπυλών λειτουργίας τους. Οι μεταβολές αυτές παρουσιάζονται συναρτήσει του μήκους κύματος της ακτινοβολίας και προσδίδουν στα GFET ιδιότητες φωτοανιχνευτή.	el
heal.abstract	Purpose of this diploma thesis was the research of back gated Graphene Field Effect Transistors, where the substrate acts as a get electrode. First step was the design of the lithography mask and then the fabrication process that took place at the clean room of the Institute for Nanoscience and Nanoelectronics. Second step was the electrical characterization of the devices, which led to the obtainment of the characteristic curves. Last step was the exposure of the fabricated GFETs to LED radiation of different wavelengths (visible and infrared light) in order to examine the change of their characteristics. Those changes are presented in comparison to the radiation wavelength and give the GFETs photodetector capabilities.	en
heal.advisorName	Τσαμάκης, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Δημητράκης, Παναγιώτης	el
heal.committeeMemberName	Ξανθάκης, Ιωάννης	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Ηλεκτρομαγνητικών Εφαρμογών Ηλεκτροοπτικής και Ηλεκτρονικών Υλικών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	85 σ.
heal.fullTextAvailability	true