Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός διατάξεων RRAM

Ασλανίδης, Ευάγγελος; Aslanidis, Evangelos

dc.contributor.author	Ασλανίδης, Ευάγγελος	el
dc.contributor.author	Aslanidis, Evangelos	en
dc.date.accessioned	2017-02-28T07:18:43Z
dc.date.available	2017-02-28T07:18:43Z
dc.date.issued	2017-02-28
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/44429
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.6369
dc.description	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις”	en
dc.rights	Default License
dc.subject	Προσομοίωση Monte Carlo
dc.subject	RRAM	en
dc.subject	Monte Carlo neuromorphic devices
dc.title	Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός διατάξεων RRAM	el
heal.type	masterThesis
heal.classification	Φυσική	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2016-11-08
heal.abstract	Αντικείμενο της παρούσας διπλωματικής διατριβής αποτελεί η μελέτη διατάξεων RRAM μέσω πειράματος και προσομοίωσης. Κάθε μία απο τις προαναφερθείσες διατάξεις απαρτίζεται απο μια δομή MIM (Metal - Insulator - Metal), με τα λεπτά υμένια να αποτελούνται απο Au και ένα μονοεπίπεδο ενεργό διηλεκτρικό TiO2, ή ένα διεπίπεδο ενεργό διηλεκτρικό TiOx/TiO2-x, 0<x<2. Μερικά απο τα δείγματα περιέχουν εμφυτευμένα νανοσωματίδια Pt και Ta στο ενεργό διηλεκτρικό τους. Αυτές οι δομές μπορούν να μεταβάλλουν την αγωγιμότητα τους κατά πολλ'ες τάξεις μεγέθους υπό κατάλληλες αλλαγές στην εφαρμοζόμενη τάση μεταξύ των πάνω και κάτω ηλεκτροδιών τους. Προτείνουμε εναν νέο αλγόριθμο, ο οποίος περιγράφει την πιθανοκρατική φύση του σχηματισμού και της διάλυσης των αγώγιμων δρόμων κατά τη διάρκεια των αγώγιμων δρόμων κατά τη διάρκεια των διαδικασιών SET και RESET αντίστοιχα, σε δείγματα με ή χωρίς νανοσωματίδια Pt. Ο αλγόριθμος αυτός λαμβάνει υπ' όψη την τυχαία κίνηση και ανακατανομή των ιόντων οξυγόνου και των ιοντικών οπών οξυγόνου λόγω των φαινομένων της γένεσης, της επανασύνδεσης και της μετανάστευσης, που οδηγούν σε διαφορετική τελική τιμή της αντίστασης κάτω απο τις ίδιεσ αρχικές συνθήκες.Χρησιμοποιήθηκε το μοντέλο TAT Trap - Assisted - Tunneling για τον υπολογισμό του ηλεκτρικού ρεύματος. Ο αλγόριθμος εκτελέστικε ως κώδικας στο MATLAB. Τέλος, παρουσιάζονται ηλεκτρικές μετρήσεις των διατάξεων RRAM στην προσπάθεια που έγινε για να αποφανθούμε κατα πόσο τέτοιου είδους διατάξειςείναι ικανές να εξομοιώσουνε νευρικές συνάψεις του εγκεφάλου.	el
heal.advisorName	Τσουκαλάς, Δημήτρης	el
heal.committeeMemberName	Ράπτης, Ιωάννης	el
heal.committeeMemberName	Τσέστερης, Λεωνίδας	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	87 σ.
heal.fullTextAvailability	true