Αλληλεπίδραση ακτινοβολίας laser με ημιαγωγούς

Παπαδημητρίου, Βασίλης; Papadimitriou, Vasilis

dc.contributor.author	Παπαδημητρίου, Βασίλης	el
dc.contributor.author	Papadimitriou, Vasilis	en
dc.date.accessioned	2017-03-03T10:31:14Z
dc.date.available	2017-03-03T10:31:14Z
dc.date.issued	2017-03-03
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/44491
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.13872
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/gr/	*
dc.subject	Θερμική ανόπτηση πυριτίου	el
dc.subject	Ενεργοποίηση προσμείξεων	el
dc.subject	Διάχυση προσμείξεων	el
dc.subject	Ακτινοβόληση	el
dc.subject	Υπέρυθρο	el
dc.subject	Αποδόμηση	el
dc.subject	Προθέρμανση	el
dc.subject	Μορφολογικός χαρακτηρισμός SEM	el
dc.subject	Ηλεκτρικός χαρακτηρισμος Van Der Pauw	el
dc.subject	Επιφανειακή αντίσταση	el
dc.subject	Quick thermal annealing	en
dc.subject	Dopant activation	en
dc.subject	Dopant diffusion	en
dc.subject	Irradiation	en
dc.subject	Infrared	en
dc.subject	Ablation	en
dc.subject	Preheating	en
dc.subject	SEM	en
dc.subject	Van Der Pauw electrical measurements	en
dc.subject	Sheet resistance	en
dc.title	Αλληλεπίδραση ακτινοβολίας laser με ημιαγωγούς	el
heal.type	bachelorThesis
heal.secondaryTitle	Ταχεία ανόπτηση ημιαγωγών με χρήση ακτινοβολίας laser	el
heal.classification	Optoelectronics and photonics	en
heal.classificationURI	http://data.seab.gr/concepts/479e7dca067e6bab09a59b119f7c54a136587a83
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2016-10-24
heal.abstract	H εργασία αυτή παρουσιάζει τα αποτελέσματα μιας πειραματικής μελέτης που στόχευε να προσδιορίσει τις καλύτερες συνθήκες θερμικής ανόπτησης για ντοπαρισμένα δείγματα πυριτίου, προκειμένου να επιτευχθεί διαμόρφωση της ηλεκτρικής αγωγιμότητας των επιλεγμένων περιοχών για την ανάπτυξη ρηχών επαφών p-n. Τα εξεταζόμενα δείγματα, ήταν wafer γερμανίου και wafer πυριτίου με επιφανειακή οξείδωση αλλά και με προσμείξεις Βορίου στην επιφάνειά τους. Οι διατάξεις laser που χρησιμοποιήθηκαν για την πειραματική μελέτη, ήταν ένα laser Νd:YAG στα 1,064 μm και ένα ΤΕΑ CO2 laser στα 10,6 μm. 'Ολα τα laser παρήγαγαν παλμούς στην κλίμακα των ns. 'Οπως αναφέρθηκε παραπάνω, ο βασικός στόχος αυτης της εργασίας ήταν η κατασκευή ρηχών επαφών από προσμείξεις Βορίου σε βάθη 13 nm. Γι αυτόν το λόγο, η διαδικασία της ανόπτησης έπρεπε να αποδώσει υψηλή ενεργοποίηση και πλήρη ανακρυστάλλωση των ακτινοβολημένων περιοχών. Προκειμένου να προσδιοριστεί η επίδραση της ακτινοβολίας στα δείγματα, αυτά μελετήθηκαν μέσω ηλεκτρονικού μικροσκοπίου. Με αυτόν τον τρόπο, μελετήθηκαν και καταγράφηκαν οχι μόνο οι αλλαγές στη μορφολογία των ακτινοβολημένων περιοχών, αλλά και τα φαινόμενα τήξης και ανακρυστάλλωσης που ίσως προέκυψαν στην περιφέρεια των ακτινοβολημένων περιοχών. Τα δείγματα, χαρακτηρίστηκαν ηλεκτρικά με βάση τη μέθοδο “Van Der Pauw”, προκειμένου να διαπιστωθούν αλλαγές στην αγωγιμότητα των ακτινοβολημένων περιοχών για την ανάπτυξη ρηχών επαφών.	el
heal.abstract	This work presents the results of an experimental study aiming to determine the best laser annealing conditions for doped Si-wafers, in order to selectively modify the conductivity of the treated areas and create swallow p-n junctions. The samples examined were germanium and silicon wafers with a thin film of silicon oxide on top as well as boron doped silicon wafers. The laser systems used in the experimental setup were a Nd:YAG laser operating at 1,064 μm and a TEA CO2 laser operating at 10,6 μm. All lasers were producing pulses in the nanosecond regime. As mentioned above, the main target of this study is to fabricate swallow p-n junctions based on boron impurities with depths up to 13 nm. For this purpose the annealing procedure should exhibit high activation efficiency and full recrystallization of the affected regions. In order to determine the influence of the laser treatment on the samples, they were studied through electron microscope. In this way, not only the changes in the morphology of the irradiated areas, but also the influence of the probable side effects, like melting and recrystallization of the treated regions, were determined and recorded. The samples were further characterized using “Van Der Pauw” electrical measurements in order to identify the modifications in the conductivity of the irradiated areas, as well as the development of swallow p-n junctions, as required.	en
heal.advisorName	Σεραφετινίδης, Αλέξανδρος	el
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Σεραφετινίδης, Αλέξανδρος	el
heal.committeeMemberName	Μακροπούλου, Μυρσίνη	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών. Τομέας Φυσικής. Εργαστήριο Οπτοηλεκτρονικής, Λέηζερ και Εφαρμογών τους	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	98 σ.
heal.fullTextAvailability	true