dc.contributor.author |
Ρουμελιώτης, Γεώργιος
|
el |
dc.contributor.author |
Roumeliotis, Georgios
|
en |
dc.date.accessioned |
2018-02-15T11:15:11Z |
|
dc.date.issued |
2018-02-15 |
|
dc.identifier.uri |
https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/46518 |
|
dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.9149 |
|
dc.description |
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Επιστήμη και Τεχνολογία Υλικών” |
el |
dc.rights |
Default License |
|
dc.subject |
Group-III Nitrides |
en |
dc.subject |
Polarization fields |
en |
dc.subject |
PIN diodes |
en |
dc.subject |
Capacitance-Voltage (CV) |
en |
dc.subject |
Electroreflectance (ER) Spectroscopy |
en |
dc.subject |
Electroluminescence (EL) Spectroscopy |
en |
dc.subject |
Πεδία πόλωσης |
el |
dc.subject |
Φασματοσκοπία |
el |
dc.subject |
Μεταδότες ΙΙ-νιτριδίου |
el |
dc.subject |
Μετατροπείς ΙΙ-νιτριδίου |
el |
dc.subject |
|
|
dc.title |
III-Nitride Emitters and Converters:
Built-in polarization-induced electric fields, built-in potential, and
effective doping concentration |
en |
heal.type |
masterThesis |
|
heal.generalDescription |
III-Nitride Emitters and Converters:
Built-in polarization-induced electric fields, built-in potential, and
effective doping concentration |
en |
heal.classification |
Optoelectronic devices--Design and construction--Congresses |
en |
heal.classificationURI |
http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh2008108685 |
|
heal.dateAvailable |
2018-02-14T22:00:00Z |
|
heal.language |
en |
|
heal.access |
free |
|
heal.recordProvider |
ntua |
el |
heal.publicationDate |
2017-10-24 |
|
heal.abstract |
The internal electric fields and the electro-optical response of nearly lattice-matched
InGaN/GaN and InAlN/GaN heterostructures were experimentally quantified.
Capacitance-Voltage (CV) measurements were performed on PIN diodes based on
InGaN/GaN and InAlN/GaN quantum wells grown on (0001) sapphire substrates by
metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE). Large polarization fields dependent on
the indium content were quantified on In0.055Ga0.945N/GaN (-2.25 ± 1.25 MV/cm) and
In0.17Al0.83N/GaN (5.90 ± 3.10 MV/cm), In0.20Al0.80N/GaN (5.99 ± 2.76 MV/cm),
In0.22Al0.78N/GaN (5.26 ± 1.25 MV/cm) based heterostructures and associated with
the electro-optical properties of the PIN diodes studied by electroreflectace (ER) and
electroluminescence (EL) spectroscopy. The electro-optically modulated field
(0.04 MV/cm) was determined from Franz-Keldysh Oscillations (FKOs) related to
the barrier regions of the InGaN/GaN QW heterostructure. The internal field strength
and direction were in agreement with theoretical predictions. |
en |
heal.abstract |
Τα εσωτερικά ηλεκτρικά πεδία και η ηλεκτρο-οπτική απόκριση ετεροδομών
InGaN/GaN και InAlN/GaN με παραπλήσιες πλεγματικές σταθερές
ποσοτικοποιήθηκαν πειραματικά. Μετρήσεις Χωρητικότητας-Τάσης (CV)
πραγματοποιήθηκαν σε διόδους PIN βασισμένες σε κβαντικά πηγάδια InGaN/GaN
και InAlN/GaN, οι οποίες αναπτύχθηκαν σε υπόστρωμα sapphire (0001) μέσω
επιταξίας μεταλοργανικών ατμών (metalorganic vapour phase epitaxy, MOVPE).
Ισχυρά πεδία πόλωσης ποσοτικοποιήθηκαν ως συνάρτηση του ποσοστού Ινδίου σε
ετεροδομές βασισμένες σε In0.055Ga0.945N/GaN (-2.25 ± 1.25 MV/cm) και
In0.17Al0.83N/GaN (5.90 ± 3.10 MV/cm), In0.20Al0.80N/GaN (5.99 ± 2.76 MV/cm),
In0.22Al0.78N/GaN (5.26 ± 1.25 MV/cm) και συσχετίσθηκαν με τις ηλεκτρο-οπτικές
ιδιότητες των διόδων PIN με φασματοσκοπία Ηλεκτροανακλαστικότητας
(Electroreflectance, ER) και Ηλεκτροφωταύγειας (Electroluminescence, EL). To
ηλεκτρο-οπτικά διαμορφωμένο πεδίο (0.04 MV/cm) προσδιορίστηκε από τις
ταλαντώσεις Franz-Keldysh (FKOs), οι οποίες σχετίζονται με τις περιοχές
φραγμάτων δυναμικού της ετεροδομής του κβαντικού πηγαδιού (QW) InGaN/GaN.
Η ισχύς και η διεύθυνση των εσωτερικών πεδίων είναι σε συμφωνία με τις
θεωρητικές προβλέψεις. |
el |
heal.sponsor |
This master thesis was funded by the Erasmus+ Programme of the European Union
for the time period of 02.01.2017 – 31.08.2017 |
en |
heal.advisorName |
Παπαδημητρίου, Δήμητρα |
el |
heal.committeeMemberName |
Παπαδημητρίου, Δήμητρα |
el |
heal.committeeMemberName |
Αργυρούσης, Χρήστος |
el |
heal.committeeMemberName |
Χριστοφόρου, Ευάγγελος |
el |
heal.academicPublisher |
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Χημικών Μηχανικών |
el |
heal.academicPublisherID |
ntua |
|
heal.numberOfPages |
143 σ. |
el |
heal.fullTextAvailability |
true |
|