Ανάπτυξη κυψελών μνήμης με μη πτητικό χαρακτήρα

Τσιάβος, Παναγιώτης; Tsiavos, Panagiotis

dc.contributor.author	Τσιάβος, Παναγιώτης	el
dc.contributor.author	Tsiavos, Panagiotis	en
dc.date.accessioned	2019-07-05T10:13:29Z
dc.date.available	2019-07-05T10:13:29Z
dc.date.issued	2019-07-05
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/48984
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.16689
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/gr/	*
dc.subject	Μη πτητική μνήμη	el
dc.subject	Λεπτά υμένια	el
dc.subject	Μνήμη αλλαγής φάσης	el
dc.subject	Απόθεση ατομικού στρώματος	el
dc.subject	Φαινόμενο σήραγγας	el
dc.subject	Non volatile memory	en
dc.subject	Thin films	en
dc.subject	Phase change memory	en
dc.subject	Atomic layer deposition	en
dc.subject	Quantum tunneling	en
dc.title	Ανάπτυξη κυψελών μνήμης με μη πτητικό χαρακτήρα	el
heal.type	bachelorThesis
heal.classification	Ηλεκτρονική	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2019-03-29
heal.abstract	Σκοπός της παρούσας εργασίας είναι η δημιουργία διάταξης που θα χρησιμοποιηθεί ως βάση για την ανάπτυξη μη πτητικής μνήμης που εκμεταλλεύεται το φαινόμενο σήραγγας. Για το λόγο αυτό αναπτύχθηκαν δοκίμια λεπτών υμενίων τριστρωματικής δομής Al - Al2O3 - Al με την μέθοδο της θερμικής εξάχνωσης και φυσικής οξείδωσης. Στα δοκίμια έγιναν επαναληπτικές διεγέρσεις και μετρήσεις για να διαπιστωθεί η ικανότητα ανάγνωσης και εγγραφής τους. Παρουσιάζονται οι μετρήσεις τάσης - ρεύματος (V - I) και τάσης αντίστασης (V - R), τα αποτελέσματα είναι ενθαρρυντικά για χρήση των δομών σε μη πτητικές μνήμες. Επίσης αναπτύχθηκαν δείγματα μη πτητικών μνημών τεχνολογίας αιχμής και χαρακτηρισμός τους μέσω ηλεκτρονικού μικροσκοπίου διέλευσης. Συγκεκριμένα αναπτύχθηκαν δύο διατάξεις μνήμης αλλαγής φάσης χαλκογενίδων και μια διάταξη μαγνητικής μη πτητικής μνήμης, με τις μεθόδους της απόθεσης ατομικού στρώματος και εξάχνωσης με δέσμη ηλεκτρονίων.	el
heal.abstract	The purpose of this thesis is to create a device to be used as a basis for the development of non-volatile memory that exploits the quantum tunnelling effect. For this reason, three-layer thin film specimens Al - Al2O3 - Al were developed using the thermal evaporation method and physical oxidation of aluminium. Repetitive excitements and measurements were performed on the samples to determine their read and write ability. The voltage-current (V-I) and voltage-to-resistance (V-R) measurements are presented, the results are encouraging to use these structures in non-volatile memories. Also, samples of state of the art non-volatile memories were developed and characterizated by transmition electron microscopy. Specifically, two chalcogenide phase change memory devices and a magnetic non-volatile memory array were developed, via atomic layer deposition (ALD) and electron beam evaporation methods.	el
heal.advisorName	Χριστοφόρου, Ευάγγελος	el
heal.committeeMemberName	Σωτηριάδης, Παύλος-Πέτρος	el
heal.committeeMemberName	Τσαμάκης, Δήμητριος	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Επικοινωνιών, Ηλεκτρονικής και Συστημάτων Πληροφορικής	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	98 σ.
heal.fullTextAvailability	true