Integrated circuits design for process monitoring of capacitors

Χονδρορρίζος, Βασίλειος; Chondrorrizos, Vasileios

dc.contributor.author	Χονδρορρίζος, Βασίλειος	el
dc.contributor.author	Chondrorrizos, Vasileios	en
dc.date.accessioned	2020-09-29T14:55:42Z
dc.date.available	2020-09-29T14:55:42Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/51204
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.18902
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/gr/	*
dc.subject	Νόμος του Moore	el
dc.subject	Process variation	en
dc.subject	Process Control Monitoring (PCM)	en
dc.subject	Monte Carlo	en
dc.subject	Process models	en
dc.subject	Τεχνολογία 45nm	el
dc.subject	Δομές δοκιμής	el
dc.title	Integrated circuits design for process monitoring of capacitors	en
heal.type	bachelorThesis
heal.classification	Μικροηλεκτρονική	el
heal.language	en
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2020-01-20
heal.abstract	Οι κατασκευαστές ημιαγωγών έχουν εισαγάγει πολλά εργαλεία για τον έλεγχο και την παρακολούθη ση της ποιότητας των διαδικασιών κατασκευής παθητικών στοιχείων και τρανζιστορ (PCM-Process Control Monitoring) κατα το σταδιο της δοκιμής. Tο στάδιο της δοκιμής χρησιμοποιείται για την εύρεση αστοχιών που προέκυψαν κατά την παραγωγή, την ”επικύρωση” κάθε κατασκευασμένου chip και για την ταξινόμηση όλων των chip σε κατηγορίες (π.χ.pass/fail). Η παρακολούθηση και ο έλεγχος της διαδικασίας κατασκευής (PCM) επιτυγχάνεται με δομές δοκιμών (test structures) που τοποθετούνται μεταξύ γειτονικών chip στο wafer ή εντός των chip και εξάγουν δεδομέμα για τα στοιχεία που αποτελούν το chip, τα οποία αξιοποιούνται ώστε να επιτευχθεί η επικύρωση (επιλέγουμε ή απορρίπτουμε ενα chip ή ένα wafer ανάλογα με τα δεδομένα που εξάγονται από τις δομές δοκιμής) και η ταξινόμηση των chip. Αυτή η τεχνική έχει ορισμένους περιορισμούς όπως: το μέγεθος των δομών δοκιμής, τον χρόνο μέτρησης και την μεγάλη ποσότητα στατιστικών δεδομένων υπό επεξεργασία. Παραδοσιακά, οι δομές δοκιμής αποτελούνται από τρανζίστορ, πυκνωτές, αντιστά σεις κλπ. Οι δακτυλιοειδείς ταλαντωτές έχουν επίσης αναπτυχθεί για δομές δοκιμών, δεδομένου ότι η μέτρηση της συχνότητάς τους είναι μια γρήγορη διαδικασία και η συσχέτιση της συχνότητας αυτής με την απόδοση των τρανζίστορ είναι γνωστή. Στη συνέχεια θα σχεδιαστούν δομές δοκιμής που βασίζονται όχι μόνο σε δακτυλιοειδείς ταλαντωτές αλλά και σε Cross-Coupled ταλαντωτή και στην μέθοδο CBCM (Charged-Based Capacitance Measurement). Στην παρούσα εργασία θα μελετήσουμε και θα σχεδιάσουμε δομές δοκιμών που θα χρησιμοποιηθούν για να χαρακτηρίσουν παθητικά στοιχεία (πυκνωτές) κατά το στάδιο της δοκιμής. Θα αναπτυχθεί μαθηματικός τύπος για την συσχέτιση μεταξύ της συχνότητας ή άλλων μεγεθών και της τιμής του πυκνωτή. Σε αυτή την εργασία οι δομές δοκιμής σχεδιάστηκαν στο Custom IC Design Tool της Cadence® σε τεχνολογία 45nm.	el
heal.advisorName	Πεκμεστζή, Κιαμάλ	el
heal.committeeMemberName	Σωτηριάδης, Πέτρος-Παύλος	el
heal.committeeMemberName	Πεκμεστζή, Κιαμάλ	el
heal.committeeMemberName	Σούντρης, Δημήτριος	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Τεχνολογίας Πληροφορικής και Υπολογιστών. Εργαστήριο Μικροϋπολογιστών και Ψηφιακών Συστημάτων VLSI	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	144 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false