Σχεδίαση και υλοποίηση ενισχυτή χαμηλού θορύβου στη ζώνη συχνοτήτων 4.9 GHz σε 130 nm SiGe BiCMOS τεχνολογία

Σουμπασάκου, Αρτεμησία; Soumpasakou, Artemisia

dc.contributor.author	Σουμπασάκου, Αρτεμησία	el
dc.contributor.author	Soumpasakou, Artemisia	en
dc.date.accessioned	2021-03-30T09:25:42Z
dc.date.available	2021-03-30T09:25:42Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/53192
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.20890
dc.rights	Default License
dc.subject	Ενισχυτής χαμηλού θορύβου	el
dc.subject	Γραμμικότητα	el
dc.subject	BiCMOS	en
dc.subject	SiGe	en
dc.subject	OIP3	en
dc.subject	LNA	en
dc.subject	4.9 GHz	en
dc.subject	Θόρυβος	el
dc.subject	Οκταγωνικό πηνίο	el
dc.subject	S-παράμετροι	el
dc.title	Σχεδίαση και υλοποίηση ενισχυτή χαμηλού θορύβου στη ζώνη συχνοτήτων 4.9 GHz σε 130 nm SiGe BiCMOS τεχνολογία	el
heal.type	bachelorThesis
heal.classification	Electrical engineering	en
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2021-02-04
heal.abstract	Αντικείμενο της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η σχεδίαση και υλοποίηση ενός ενισχυτή χαμηλού θορύβου με κεντρική συχνότητα λειτουργίας στα 4.9 GHz και εύρος ζώνης 200 MHz, για χρήση σε σταθμό βάσης 5G και υλοποιημένος σε τεχνολογία SiGe BiCMOS 130 nm. Οι εφαρμογές του αφορούν σύγχρονα και μελλοντικά προϊόντα της ασύρματης τεχνολογίας 5G. Η υψηλή γραμμικότητα και ο χαμηλός θόρυβος αποτελούν κρίσιμες προδιαγραφές για την πραγματοποίηση του front-end ενός σταθμού βάσης 5G και την αντιμετώπιση των απαιτήσεών του. Συγκεκριμένα, το κύκλωμα που παρουσιάζεται διαθέτει sub-dB θόρυβο στα 0.69 dB, κέρδος της τάξης των 33.5 dB και παράμετρο γραμμικότητας OIP3 στα +30.6 dBm. Επιτυγχάνεται απώλεια επιστροφής εισόδου/εξόδου κάτω από -16 dB, ενώ αντλούνται 243 mW από τροφοδοσία 3V. Γίνεται παρουσίαση της αρχιτεκτονικής που επιλέχθηκε, των στοιχείων που τοποθετήθηκαν και τον ρόλο που επιτελούν, καθώς και των πρώτων αποτελεσμάτων της προσομοίωσης του ενισχυτή. Γίνεται επιπλέον η απόπειρα της φυσικής σχεδίασης του ενισχυτή στην στοίβα μετάλλων της τεχνολογίας που έχει χρησιμοποιηθεί. Αναλύονται τα τεστς που πρέπει να περάσει επιτυχώς η φυσική σχεδίαση, καθώς και τα αποτελέσματα των τελικών προσομοιώσεων. Τέλος, γίνεται σύγκριση των αποτελεσμάτων.	el
heal.advisorName	Παπανάνος, Ιωάννης	el
heal.committeeMemberName	Συκάς, Ευστάθιος	el
heal.committeeMemberName	Παπανάνος, Ιωάννης	el
heal.committeeMemberName	Χριστοφόρου, Ευάγγελος	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Επικοινωνιών, Ηλεκτρονικής και Συστημάτων Πληροφορικής	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	81 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false