Χαρακτηρισμός μη πτητικών διατάξεων μνήμης μεταβλητής αντίστασης CBRAM πάνω σε εύκαμπτο υπόστρωμα PEN

Μουστάκας, Κωνσταντίνος; Moustakas, Konstantinos

dc.contributor.author	Μουστάκας, Κωνσταντίνος	el
dc.contributor.author	Moustakas, Konstantinos	en
dc.date.accessioned	2021-05-30T15:40:28Z
dc.date.available	2021-05-30T15:40:28Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/53521
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.21219
dc.description	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις”	el
dc.rights	Default License
dc.subject	Μνήμες	el
dc.subject	Εύκαμπτο υπόστρωμα	el
dc.subject	Μεταβαλλόμενη αντίσταση	el
dc.subject	Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός	el
dc.subject	Αγώγιμο νήμα	el
dc.subject	CBRAM	en
dc.subject	RERAM	en
dc.subject	PEN	en
dc.subject	Flexible substrate	en
dc.subject	Electrical characterization	en
dc.title	Χαρακτηρισμός μη πτητικών διατάξεων μνήμης μεταβλητής αντίστασης CBRAM πάνω σε εύκαμπτο υπόστρωμα PEN	el
heal.type	masterThesis
heal.classification	Φυσική	el
heal.classification	Μικροηλεκτρονική	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2021-03-05
heal.abstract	Αντικείμενο της παρούσας εργασίας ήταν η μελέτη της απόδοσης διατάξεων μεταβαλλόμενης αντίστασης σε εύκαμπτο υποστρώμα, που μπορούν να λειτουργήσουν ως στοιχεία μη πτητικών μνημών υπό συνθήκες καταπόνησης. Οι διατάξεις έχουν τη δομή MIM (μέταλλο – μονωτής –μέταλλο) και συγκεκριμένα είναι κατασκευασμένες από λεπτά υμένια TiN, οξειδίου του πυριτίου (Si02) και αργύρου Ag, ενώ αναπτύχθηκαν πάνω στο υπόστρωμα PEN. Αρχικά, πραγματοποιήθηκαν ηλεκτρικές μετρήσεις σε δείγματα TiN/SiO2/Ag πάνω σε υπόστρωμα πυριτίου (Si), έτσι ώστε να αποκτηθεί μία γενική εικόνα των χαρακτηριστικών λειτουργίας μίας τέτοιας διάταξης, τα οποία χρησιμοποιήθηκαν ως δείγματα αναφοράς Εν συνεχεία μετρήθηκαν ηλεκτρικά οι αντίστοιχες διατάξεις TiN/SiO2/Ag, πάνω στο εύκαμπτο υπόστρωμα PEN,σε συνθήκες μηδενικής καταπόνησης, αλλά και έχοντας υποβληθεί σε διάφορες καταπονήσεις ξεκινώντας από 0,1% και φτάνοντας έως και 4,16%. Τα αποτελέσματα των μετρήσεων (χαρακτηριστικές καμπύλες I-V, διατήρηση φορτίου, αντοχή σε επαναλαμβανόμενους κύκλους, μετρήσεις θετικών και αρνητικών παλμών), έδειξαν ότι μέχρι το ποσοστό καταπόνησης 2,5%, οι επαφές εμφάνιζαν ικανοποιητικό παράθυρο μνήμης, το οποίο ωστόσο αρχίζει να μειώνεται σημαντικά μέχρι και το ποσοστό καταπόνησης 4,16%, όπου ακόμα όμως, το παράθυρο μνήμης διατηρείται στις δύο τάξεις μεγέθους. Παρατηρήθηκε η εμφάνιση ρωγμών στα δείγματά μας με διαφορετική περιοδικότητα στα διάφορα υλικά που χρησιμοποιήσαμε, με πιο εύθραυστο το TiN, ενώ για ποσοστό καταπόνησης 4,16%, ακόμα και το ίδιο το υπόστρωμα PΕΝ, εμφάνισε ρωγμές. Η λειτουργία των διατάξεων μνήμης σε πολύ υψηλά ποσοστά καταπόνησης, καθώς και τα επί μέρους χαρακτηριστικά τους, όπως η χαμηλή τάση λειτουργίας, το ικανοποιητικό παράθυρο μνήμης, η υψηλή αντοχή τους σε επαναλαμβανόμενους κύκλους καθώς και η μακρά διατήρηση της πληροφορίας, καθιστούν τις συγκεκριμένες διατάξεις ελπιδοφόρες, καθώς ανοίγουν νέους ορίζοντες στην ανάπτυξη καινοτόμων εύκαμπτων ηλεκτρονικών (flexible electronics).	el
heal.advisorName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Δημητράκης, Παναγιώτης	el
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Ράπτης, Ιωάννης	el
heal.academicPublisher	Σχολή Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	77 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false