Ανάπτυξη μοντέλου αγωγιμότητας ετεροεπαφής Schottky

Καρακάσης, Χαράλαμπος; Karakasis, Charalampos

dc.contributor.author	Καρακάσης, Χαράλαμπος	el
dc.contributor.author	Karakasis, Charalampos	en
dc.date.accessioned	2022-02-04T10:38:41Z
dc.date.available	2022-02-04T10:38:41Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/54543
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.22241
dc.description	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις”	el
dc.rights	Default License
dc.subject	Δίοδος Schottky	el
dc.subject	Ετεροεπαφή μετάλλου- ημιαγωγού	el
dc.subject	Φορτίο είδωλο	el
dc.subject	Επανασύνδεση- δημιουργία φορέων	el
dc.subject	Χαρακτηριστική ρεύματος- τάσης	el
dc.subject	Schottky diode	en
dc.subject	Metal-semiconductor heterojunction	en
dc.subject	Mirror charge	en
dc.subject	Generation- recombination mechanism	en
dc.subject	Current-voltage characteristic	en
dc.title	Ανάπτυξη μοντέλου αγωγιμότητας ετεροεπαφής Schottky	el
heal.type	masterThesis
heal.classification	Αισθητήρες	el
heal.classification	Μικροηλεκτρονική	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2021-10
heal.abstract	Στην παρούσα εργασία γίνεται μελέτη και ανάπτυξη του μοντέλου αγωγιμότητας της ετεροεπαφής μετάλλου-ημιαγωγού (Schottky) με τη χρήση της Mathematica. Πιο συγκεκριμένα, θα μελετηθούν και θα συγκριθούν τα μοντέλα αγωγιμότητας του Schottky, της διάχυσης με σταθερή και μεταβλητή ευκινησία από το ηλεκτρικό πεδίο, αλλά και επανασύνδεσης- δημιουργίας φορέων. Αρχικά, θα γίνει μια εισαγωγή στη μοντελοποίηση. Στο δεύτερο κομμάτι του πρώτου κεφαλαίου θα γίνει αναφορά στις ετεροεπαφές, τα είδη τους, τα πλεονεκτήματα, τα μειονεκτήματα και τις εφαρμογές των επαφών μετάλλου-ημιαγωγού. Στη συνέχεια θα μελετηθεί η δομή της ανορθωτικής επαφής μετάλλου-ημιαγωγού και θα αναπτυχτούν τα διάφορα μοντέλα. Στο τρίτο κεφάλαιο της εργασίας θα παρουσιαστούν τα αποτελέσματα και θα συγκριθούν οι χαρακτηριστικές καμπύλες J-V που θα προκύψουν από την ανάλυση που έγινε και τα μοντέλα που αναπτύχθηκαν στο προηγούμενο κεφάλαιο. Τέλος, στο τέταρτο και τελευταίο κεφάλαιο θα εξαχθούν τα συμπεράσματα για τα αποτελέσματα του προηγούμενου κεφαλαίου.	el
heal.abstract	The purpose of this thesis is to develop and study a conductivity model of the metal-semiconductor heterojunction (Schottky junction) by using Mathematica. More specifically, the conductivity models of Schottky, drift- diffusion with constant and mobility depended from the electric field, but also generation- recombination mechanism will be studied, analyzed and compared. First, an introduction to modeling and its objectives will be made. The second part of the first chapter will be focused on the heterojunctions, heterojunction types, advantages, disadvantages and their applications. Then the structure of the metal-semiconductor rectifier contact will be studied and the various models will be developed. In the third and fourth chapters of this work, the characteristic J-V curves of the models developed in the previous chapter will be presented, compared and conclusions will be made.	en
heal.advisorName	Γλέζος, Νικόλαος	el
heal.committeeMemberName	Γλέζος, Νικόλαος	el
heal.committeeMemberName	Κυρίτσης, Απόστολος	el
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	97 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false