Προσομοίωση διόδων Ge για επαφές pn

Γκόλιας, Ευάγγελος Α.; Golias, Evangelos A.

dc.contributor.advisor	Δημουλάς, Αθανάσιος	el
dc.contributor.author	Γκόλιας, Ευάγγελος Α.	el
dc.contributor.author	Golias, Evangelos A.	en
dc.date.accessioned	2011-11-25T09:21:33Z
dc.date.available	2011-11-25T09:21:33Z
dc.date.copyright	2011-11-03	-
dc.date.issued	2011-11-25
dc.date.submitted	2011-11-03	-
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/5457
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.1871
dc.description	76 σ.	el
dc.description	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Φυσική και Τεχνολογικές Εφαρμογές”	el
dc.description.abstract	Το γερμάνιο είναι ένα πολλά υποσχόμενο ημιαγώγιμο υλικό για ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης και χαμηλής κατανάλωσης. Για να μπορέσουμε να χρησιμοποιήσουμε το γερ- μάνιο ως υλικό σε σύγχρονες ηλεκτρονικες διατάξεις και ειδικότερα στην τεχνολογία CMOS, μια σειρά προβλημάτων θα πρέπει να επιλυθούν. Μέχρι τώρα έχουν παρουσιαστεί αποδοτι- κές διατάξεις p-MOSFETS, ωστόσο ανάλογης απόδοσης n-MOSFET γερμανίου παρουσιάζουν προβλήματα στην υλοποίηση τους. Ένα βασικό εμπόδιο που πρέπει να ξεπεραστεί είναι η δη- μιουργία αποδοτικών επαφών pn για την περιοχή της πηγής (Source) και του απαγωγού (Drain). Η δυσκολία πηγάζει από την συμπεριφορά των προσμείξεων φωσφόρου στο γερμάνιο όταν η διάταξη επεξεργάζεται σε θερμοκρασίες μεγαλύτερες των 500C με σκοπό την αποκατάσταση των εισαχθέντων ατελειών του κρυσταλλικού πλέγματος και την ενεργοποίηση των προσμεί- ξεων. Τα άτομα φωσφόρου διαχέονται προς την επιφάνεια και το κυρίως σώμα του ημιαγωγού με αποτέλεσμα να έχουμε απώλεια προσμείξεων και δυσχέρεια στην σμίκρυνση της εγκάρσιας διάστασης της διόδου. Στην παρούσα εργασία εφαρμόσαμε τη μέθοδο MIC (Metal Induced Crystallization) ώστε να επιτύχουμε την αποκατάσταση του κρυστάλλικού υποστρώματος σε χαμηλότερες θερμο- κρασίες. Επιπλέον η ενεργοποίηση των προσμείξεων επιτυγχάνεται σε χαμηλή θερμοκρασία λόγω του φαινομένου MIDA(Metal Induced Dopant Activation). Με τη βοήθεια της μεθόδου XRD και SIMS αναλύουμε τις διόδους που παρασκευάστηκαν χημικά και κρυσταλλογραφικά. Επιπλέον η απόδοση των επαφών αξιολογήθηκε από ηλεκτρικές μετρήσεις J-V και η μοντελο- ποίηση τους έγινε με προσαρμογή των πειραματικών δεδομένων σε μοντέλο διόδου ώστε να εξαχθούν χρήσιμες τιμές ως προς χαρακτηριστικές παραμέτρους των επαφών.	el
dc.description.statementofresponsibility	Ευάγγελος Α. Γκόλιας	el
dc.language.iso	el	en
dc.rights	ETDFree-policy.xml	en
dc.subject	Δίοδοι	el
dc.subject	Γερμάνιο	el
dc.subject	MOSFETs	en
dc.subject	Μικροηλεκτρονική	el
dc.subject	Diodes	en
dc.subject	Germanium	en
dc.subject	Microelectronics	en
dc.title	Προσομοίωση διόδων Ge για επαφές pn	el
dc.type	masterThesis	el (en)
dc.date.accepted	2011-10-27	-
dc.date.modified	2011-11-03	-
dc.contributor.advisorcommitteemember	Τσέτσερης, Λεωνίδας	el
dc.contributor.advisorcommitteemember	Ράπτης, Ιωάννης	el
dc.contributor.committeemember	Δημουλάς, Αθανάσιος	el
dc.contributor.committeemember	Τσέτσερης, Λεωνίδας	el
dc.contributor.committeemember	Ράπτης, Ιωάννης	el
dc.contributor.department	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών. Τομέας Φυσικής	el
dc.date.recordmanipulation.recordcreated	2011-11-25	-
dc.date.recordmanipulation.recordmodified	2011-11-25	-