HEAL DSpace

Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός διατάξεων MOS με μεταλλικούς νανοκρυστάλλους

DSpace/Manakin Repository

Show simple item record

dc.contributor.advisor Τσαμάκης, Δημήτρης el
dc.contributor.author Κατσιούλα, Ελευθερία Χ. el
dc.contributor.author Katsioula, Eleftheria Ch. en
dc.date.accessioned 2011-12-15T09:42:39Z
dc.date.available 2011-12-15T09:42:39Z
dc.date.copyright 2011-12-12 -
dc.date.issued 2011-12-15
dc.date.submitted 2011-12-12 -
dc.identifier.uri https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/5627
dc.identifier.uri http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.10364
dc.description 107 σ. el
dc.description.abstract Σκοπός της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η εγκατάσταση συστήματος εξάχνωσης υψηλού κενού (~10-8 mbar) ώστε να χρησιμοποιηθεί για την παρασκευή δομών MOS με νανοκρυστάλλους. Οι δομές αυτές χρησιμοποιούνται ολοένα και περισσότερο τα τελευταία χρόνια στην κατασκευή μη πτητικών μνημών. Αυτό οφείλεται στην αυξημένη αξιοπιστία τους που προκύπτει από το γεγονός ότι σε περίπτωση που δημιουργηθεί κάποιος αγώγιμος δρόμος μέσα στο λεπτό οξείδιο λόγω παρουσίας κάποιας ατέλειας, τότε δεν εκφορτίζεται όλο το “στρώμα” συγκράτησης φορτίων αλλά μόνο μερικοί νανοκρύσταλλοι ή μερικά σημειακά κέντρα τα οποία βρίσκονται κοντά στον αγώγιμο δρόμο. Αυτό προσφέρει ταυτόχρονα μεγαλύτερους χρόνους διατήρησης του φορτίου. Στη συνέχεια περιγράφονται τα δομικά μέρη του θαλάμου εξάχνωσης, το βασικότερο κομμάτι του οποίου είναι ο εξαχνωτής ηλεκτρονικής δέσμης (electron beam evaporator). Ο εξαχνωτής περιλαμβάνει τέσσερα κανόνια ηλεκτρονίων (e-guns), προσφέροντας τη δυνατότητα συνεξάχνωσης (co-evaporation) έως και τεσσάρων υλικών. Η πειραματική διαδικασία λαμβάνει χώρα σε συνθήκες πολύ υψηλού κενού (high vacuum) εξασφαλίζοντας την ελάχιστη δυνατή επιμόλυνση προς το δείγμα που πρόκειται να κατασκευαστεί. Ακολούθως γίνεται ο μορφολογικός χαρακτηρισμός των δειγμάτων που παρασκευάσθηκαν με την τεχνική της Μικροσκοπίας Ατομικής Δύναμης (Atomic Force Microscopy-AFM) και την τεχνική της Μικροσκοπίας Ατομικής Δύναμης με αγώγιμη ακίδα (conductive Atomic Force Microscopy, c-AFM). Παρουσιάζονται επίσης, οι μετρήσεις χωρητικότητας-τάσης (C-V) και διαγωγιμότητας-τάσης σε υψηλές συχνότητες (f=1 MHz) ώστε να διαπιστωθεί το αν μπορούν οι παρασκευασθείσες δομές να χρησιμοποιηθούν ως στοιχεία μνήμης. el
dc.description.abstract The purpose of this diploma thesis is the installation of a high vacuum (10-8 mbar) deposition chamber in order to fabricate MOS devices containing embedded nanocrystals. These devices are increasingly used at non volatile memory technology due to their reliability which originates from the fact that the presence of defects inside the oxide layer would not discharge all of the nanocrystals; instead they would only affect nanocrystals which are close to the defects. This fact results in higher charge retention times. The consisting parts of the vacuum chamber are also described. The fundamental part of the deposition chamber is the electron beam evaporator which consists of four electron-guns, that can be used for co-evaporation. The experimental procedure is carried out under high vacuum conditions assuring low contamination of the fabricated sample. Next, Atomic Force Microscopy (AFM) and conductive Atomic Force Microscopy (c-AFM) were used to characterize the structure of the produced samples. Moreover, high frequency (f=1 MHz) capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements were carried out in order to determine whereas the fabricated structures could be used as memory cells. en
dc.description.statementofresponsibility Ελευθερία Χ. Κατσιούλα el
dc.language.iso el en
dc.rights ETDFree-policy.xml en
dc.subject Νανοκρύσταλλοι el
dc.subject Μη πτητικές μνήμες el
dc.subject Μικροσκοπία ατομικής δύναμης el
dc.subject Μικροσκοπία ατομικής δύναμης με αγώγιμη ακίδα el
dc.subject Μετρήσεις χωρητικότητας-τάσης el
dc.subject Μετρήσεις διαγωγιμότητας-τάσης el
dc.subject MOS en
dc.subject Nanocrystals en
dc.subject Non volatile memories en
dc.subject AFM en
dc.subject C-AFM en
dc.subject C-V measurements en
dc.subject G-V measurements en
dc.title Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός διατάξεων MOS με μεταλλικούς νανοκρυστάλλους el
dc.type bachelorThesis el (en)
dc.date.accepted 2011-12-09 -
dc.date.modified 2011-12-12 -
dc.contributor.advisorcommitteemember Ξανθάκης, Ιωάννης el
dc.contributor.advisorcommitteemember Τσουκαλάς, Δημήτριος el
dc.contributor.committeemember Τσαμάκης, Δημήτρης el
dc.contributor.committeemember Ξανθάκης, Ιωάννης el
dc.contributor.committeemember Τσουκαλάς, Δημήτριος el
dc.contributor.department Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Ηλεκτρομαγνητικών Εφαρμογών, Ηλεκτροοπτικής και Ηλεκτρονικών Υλικών. Εργαστήριο Ηλεκτρονικών Υλικών και Νανοηλεκτρονικών Διατάξεων el
dc.date.recordmanipulation.recordcreated 2011-12-15 -
dc.date.recordmanipulation.recordmodified 2011-12-15 -


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record