Μνήμες αντιστατών νιτριδίου του πυριτίου σε ολοκληρωμένες διατάξεις διασταυρούμενων ηλεκτροδίων

Μαυροπούλης, Αλέξανδρος Ελευθέριος; Mavropoulis, Alexandros Eleftherios

dc.contributor.author	Μαυροπούλης, Αλέξανδρος Ελευθέριος	el
dc.contributor.author	Mavropoulis, Alexandros Eleftherios	en
dc.date.accessioned	2023-11-29T11:49:24Z
dc.date.available	2023-11-29T11:49:24Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/58352
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.26048
dc.description	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις”	el
dc.rights	Default License
dc.subject	lpcvd	en
dc.subject	Rram	en
dc.subject	Crossbar	en
dc.subject	Silicon nitride	en
dc.subject	Νιτρίδιο του πυριτίου	el
dc.subject	Διατάξεις διασταυρούμενων ηλεκτροδίων	el
dc.subject	Μνήμες μεταβλητής αντίστασης	el
dc.subject	Χημική εναπόθεση χαμηλής πίεσης	el
dc.subject	Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός	el
dc.title	Μνήμες αντιστατών νιτριδίου του πυριτίου σε ολοκληρωμένες διατάξεις διασταυρούμενων ηλεκτροδίων	el
heal.type	masterThesis
heal.classification	Νανοτεχνολογία	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2023-06-28
heal.abstract	Οι μνήμες μεταβλητής αντίστασης (RRAM) είναι από τις πιο πολλά υποσχόμενες μη πτητικές μνήμες, με χαρακτηριστικά όπως πολύ μικρό μέγεθος και χαμηλή κατανάλωση ενέργειας που τις καθιστούν ιδανικές για την εφαρμογή σε διατάξεις διασταυρούμενων ηλεκτροδίων. Αυτές οι διατάξεις είναι πολύ χρήσιμες για την υλοποίηση in silico νευρωνικών δικτύων, τα οποία βρίσκουν εφαρμογή σε ολοκληρωμένα κυκλώματα χαμηλής κατανάλωσης συσκευές IoT. Ως ενεργό υλικό για τη μνήμη μεταβλητής αντίστασης επιλέχθηκε το νιτρίδιο του πυριτίου (Si3N4), λόγω των πολύ καλών χαρακτηριστικών που παρουσιάζει κατά τη μεταβολή από μια κατάσταση υψηλής αντίστασης σε μια χαμηλής αντίστασης. Το υλικό αυτό έχει μελετηθεί προηγουμένως πάνω σε ντοπαρισμένο υπόστρωμα bulk-Si, όμως δεν έχει εξεταστεί η συμπεριφορά του πάνω σε υπόστρωμα SOI, το οποίο προσφέρει καλύτερη μόνωση από τη μετρητική διάταξη και καθιστά πιο απλή τη κατασκευή των διατάξεων διασταυρούμενων ηλεκτροδίων. Σε αυτή τη μεταπτυχιακή εργασία αρχικά κατασκευάστηκαν και εξετάστηκε η συμπεριφορά των RRAM νιτριδίου του πυριτίου πάνω σε υπόστρωμα SOI και έτσι παρατηρήθηκε σε σχέση με το bulk-Si βελτιωμένη αντοχή με σημαντικά μεγαλύτερο αριθμό κύκλων λειτουργίας και διατήρηση της κατάστασης χαμηλής αντίστασης για μεγαλύτερο χρονικό διάστημα. Επιπλέον, κατασκευάστηκαν, προσομοιώθηκαν και μετρήθηκαν διατάξεις διασταυρούμενων ηλεκτροδίων βασισμένες στο νιτρίδιο του πυριτίου. Μελετήθηκαν τα κυριότερα προβλήματα που παρουσιάζουν αυτές οι διατάξεις, όπως είναι η αντίσταση των αγώγιμων γραμμών που περιορίζει το μέγιστο μέγεθος τους και τα ρεύματα διαρροής από μη επιλεγμένες κυψελλίδες μνήμης (memory cells). Για τη καταπολέμηση των ρευμάτων διαρροής από μη επιλεγμένες κυψελλίδες δοκιμάστηκαν διάφορες τεχνικές εγγραφής/ανάγνωσης με σκοπό την εύρεση της καταλληλότερης για την επιτυχημένη λειτουργία της διάταξης.	el
heal.advisorName	Δημητράκης, Παναγιώτης	el
heal.committeeMemberName	Δημητράκης, Παναγιώτης	el
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Ράπτης, Ιωάννης	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	97 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false