Μνήμες αντιστατών νιτριδίου του πυριτίου με διαφορετικές στοιχειομετρίες

Πισσάνος, Γιώργος; Pissanos, George

dc.contributor.author	Πισσάνος, Γιώργος	el
dc.contributor.author	Pissanos, George	en
dc.date.accessioned	2023-11-30T08:34:59Z
dc.date.available	2023-11-30T08:34:59Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/58355
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.26051
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/gr/	*
dc.subject	Μνήμες αντιστατών	el
dc.subject	Νιτρίδιο του πυριτίου	el
dc.subject	Στοιχειομετρία	el
dc.subject	Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός	el
dc.subject	Οπτικός χαρακτηρισμός	el
dc.subject	Memristors	en
dc.subject	Silicon nitride	en
dc.subject	Stoichiometry	en
dc.subject	Electrical characterization	en
dc.subject	Optical characterization	en
dc.title	Μνήμες αντιστατών νιτριδίου του πυριτίου με διαφορετικές στοιχειομετρίες	el
heal.type	masterThesis
heal.classification	Nanoscience-Nanotechnology	en
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2023-07-20
heal.abstract	Η συνεχής πρόοδος της τεχνολογίας έχει σαν αποτέλεσμα την ύπαρξη όλο και μεγαλύτερου όγκου πληροφορίας. Επομένως αναγκαία είναι και η αποθήκευση της συγκεκριμένης πληροφορίας. Μια σχετικά καινούργια διάταξη με την συγκεκριμένη δυνατότητα είναι οι αντιστάτες μνήμης ή memristor ή ReRAM μνήμες. Στα memristor η πληροφορία αποθηκεύεται σε μορφή αντίστασης καθώς μπορούν, με την εφαρμογή κατάλληλης τιμής και πολικότητας τάσης να εναλλάσσονται μεταξύ τουλάχιστον δυο καταστάσεων (τιμών) αντίστασης, την κατάσταση υψηλής αντίστασης (HRS-High resistance state) και την κατάσταση χαμηλής αντίστασης(LRS-Low resistance state). To παραπάνω φαινόμενο ονομάζεται resistance switching και η εκάστοτε τιμή της αντίστασης μπορεί να διατηρηθεί και χωρίς τροφοδοσία. Γι’ αυτό τον λόγο τα memristor ανήκουν στην κατηγορία των λεγόμενων μη-πτητικών μνημών (non-volatile memories). Η δομή των memristor συνήθως αποτελείται από ένα διηλεκτρικό υλικό, το οποίο βρίσκεται ανάμεσα σε δυο μεταλλικά ηλεκτρόδια ή ένα μεταλλικό και ένα ημιαγώγιμο ηλεκτρόδιο. Στην συγκεκριμένη διπλωματική εργασία χρησιμοποιείται η τεχνολογία SOI (silicon on insulator) στην δομή των memristor, περισσότερα για την δομή τους θα αναλυθούν στα αντίστοιχα κεφάλαια της εργασίας. Κύριο μέλημα της παρούσας εργασίας είναι η μελέτη του διηλεκτρικού υλικού που χρησιμοποιείται στους αντιστάτες, και συγκεκριμένα το νιτρίδιο του πυριτίου (SiNx). Tα νιτρίδια που μελετήθηκαν παρασκευάστηκαν μέσω της αντίδρασης του διχλωροσιλανίου (SiCl2H2) με την αμμωνία (ΝΗ3), με την μέθοδο LPCVD. Ποιο συγκεκριμένα μελετάται η επίδραση της διαφορετικής στοιχειομετρίας του στρώματος νιτριδίου του πυριτίου των αντιστατών, στις οπτικές και ηλεκτρικές τους ιδιότητες, πραγματοποιώντας ηλεκτρικό και οπτικό χαρακτηρισμό μέσω μετρήσεων ελλειψομετρίας, ρεύματος-τάσης (I-V), φασματοσκοπίας σύνθετης αντίστασης (impedance spectroscopy) και χωρητικότητας (C-V). Επιπλέον, αναλύονται οι μηχανισμοί αγωγιμότητας που λαμβάνουν χώρα εντός των διηλεκτρικών καθώς και οι διεργασίες κατασκευής των memristor που πραγματοποιήθηκαν στον καθαρό χώρο του Ινστιτούτου Νανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογίας του ΕΚΕΦΕ “ΔΗΜΟΚΡΙΤΟΣ”.	el
heal.abstract	The constant progress of technology has resulted in the increase of the quantity of the available digital information and data. Therefore, the storage of this information is necessary. A relative new device with this capability are the memristors or ReRAM memories. At those devices the information is stored in the form of resistance because they are able to switch between two states, the state of high resistance (HRS) and the state of low resistance (LRS). This phenomenon is called resistive switching and the value of the resistance can be maintained without power supply. For this reason, the memristors belong in the category of non-volatile memories. The structure of the memristors consists of a dielectric film (usually ceramic) that lies between two electrodes or a metallic and a semiconducting electrode. In the present thesis the technology SOI (silicon on insulator) is used in the structure of the memristors, more about the structure of the memristors will be analyzed later. Also, main concern of this thesis is the study of the dielectric film specifically silicon nitride (SiNx). Those films were deposited with the LPCVD method by the reaction of dichlorosilane (SiCl2H2) with ammonia (NH4). More specifically, the effect of the different stoichiometry of the film of silicon nitride of the memristors at their optical and electrical properties were studied by carrying out electrical and optical characterization through measurements of ellipsometry, current-voltage(I-V), impedance spectroscopy, capacitance-voltage(C-V) measurements. Also, the conducting mechanisms that take place inside the dielectric films and the fabrication processes that carried out at the clean room facilities of the Ιnstitute of Νanoscience and Νanotechnology NCSR “DEMOKRITOS” are analyzed.	en
heal.advisorName	Δημητράκης, Παναγιώτης
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτρης	el
heal.committeeMemberName	Ράπτης, Ιωάννης	el
heal.academicPublisher	Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	70 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false