CIGS Τεχνολογία Φωτοβολταϊκών Λεπτών Υμενίων: Οπτικός Χαρακτηρισμός Χαλκοπυριτικών Απορροφητών σε εξάρτηση από τη θερμοκρασία

Ζιάκας, Ιωάννης Α.; Ziakas, Ioannis A.

dc.contributor.advisor	Παπαδημητρίου, Δήμητρα	el
dc.contributor.author	Ζιάκας, Ιωάννης Α.	el
dc.contributor.author	Ziakas, Ioannis A.	en
dc.date.accessioned	2012-03-06T07:53:24Z
dc.date.available	2012-03-06T07:53:24Z
dc.date.copyright	2012-03-05	-
dc.date.issued	2012-03-06
dc.date.submitted	2012-03-05	-
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/5857
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.3429
dc.description.abstract	Η παρούσα διπλωματική εργασία αφορά τον οπτικό χαρακτηρισμό χαλκοπυριτικών απορροφητών CIS και CIGS της φωτοβολταϊκής τεχνολογίας σε εξάρτηση από τη θερμοκρασία. Σκοπός της είναι η μελέτη απορροφητών που προβλέπεται να αντικαταστήσουν την τεχνολογία φωτοβολταϊκών πυριτίου. Η τεχνολογία φωτοβολταϊκών λεπτών υμενίων χαλκοπυριτών αναδεικνύεται υπερέχουσα και ως προς την απόδοση και ως προς το κόστος. Ειδικά, η εργασία αυτή έχει ως στόχο τον ακριβή προσδιορισμό του μεγέθους της περιοχής ενεργειακής απορρόφησης (ενεργειακών χασμάτων) και τη διερεύνηση των παραμέτρων των ενεργειακών μεταβάσεων που επηρεάζουν την απορρόφηση της ηλιακής ενέργειας σε τριμερείς CuInS2 (CIS) και τετραμερή CuIn1-xGaxS2 (CIGS) σουλφίδια χαλκοπυριτών. Οι απορροφητές CIS και CIGS μελετώνται με τη μέθοδο της φασματοσκοπίας Φωτοανακλαστικότητας (Modulated Photoreflectance PR) σε ένα εύρος θερμοκρασιών που εκτείνεται από χαμηλές θερμοκρασίες 10 Κ έως τη θερμοκρασία δωματίου (RT= 300 Κ). Τα ενεργειακά χάσματα των CuIn1-xGaxS2 (CIGS) εξαρτώνται από την ποσοστιαία σύσταση (% Ga) του απορροφητή και μεταβάλλονται μεταξύ των χασμάτων των αντίστοιχων τριμερών CuInS2 (CIS) και CuGaS2 (CGS). Πρώτη φορά καταγράφονται φάσματα σε τόσο μεγάλο εύρος θερμοκρασιών στην οικογένεια των χαλκοπυριτικών σουλφιδίων για τον προσδιορισμό των των θεμελιωδών ενεργειακών χασμάτων και των παραμέτρων των ενεργειακών μεταβάσεων. Συνολικά, η παρούσα διπλωματική εργασία συντελεί στην καλύτερη γνώση των ιδιοτήτων των χαλκοπυριτικών σουλφιδίων (CIGS) που είναι υποψήφια για την αντικατάσταση της τεχνολογίας φωτοβαλταϊκών πυριτίου.	el
dc.description.abstract	CIGS Thin Film Photovoltaic Thechnology Optical Characterization of Chalcopyrite Absorbers as a Function of Temperature	en
dc.description.statementofresponsibility	Ιωάννης Α. Ζιάκας	el
dc.language.iso	el	en
dc.rights	ETDFree-policy.xml	en
dc.subject	Οπτική διαμόρφωση	el
dc.subject	Χαλκοπυριτικά σουλφίδια	el
dc.subject	Θερμοκρασιακή εξάρτηση	el
dc.subject	Ενεργειακά χάσματα	el
dc.subject	Εύρος ενεργειακού χάσματος	el
dc.subject	Optical modutation	en
dc.subject	Chalcopyrites sulfides	en
dc.subject	Temperature depedence	en
dc.subject	Energy band gaps	en
dc.subject	Linewidth of the interband transitions	en
dc.subject	CuInS2	en
dc.subject	CuIn1-xGaxS2	en
dc.title	CIGS Τεχνολογία Φωτοβολταϊκών Λεπτών Υμενίων: Οπτικός Χαρακτηρισμός Χαλκοπυριτικών Απορροφητών σε εξάρτηση από τη θερμοκρασία	el
dc.title.alternative	CIGS Thin Film Photovoltaic Technology: Optical Characterization of Chalcopyrites Absorbers as a function of Temperature	en
dc.type	bachelorThesis	el (en)
dc.date.accepted	2012-02-10	-
dc.date.modified	2012-03-05	-
dc.contributor.advisorcommitteemember	Παρασκευαϊδης, Κωνσταντίνος	el
dc.contributor.advisorcommitteemember	Μανωλάκος, Δημήτριος	el
dc.contributor.committeemember	Παπαδημητρίου, Δήμητρα	el
dc.contributor.committeemember	Παρασκευαϊδης, Κωνσταντίνος	el
dc.contributor.committeemember	Μανωλάκος, Δημήτριος	el
dc.contributor.department	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών & Φυσικών Επιστημών.	el
dc.date.recordmanipulation.recordcreated	2012-03-06	-
dc.date.recordmanipulation.recordmodified	2012-03-06	-