Μεταφορά γραφενίου και δισδιάστατων διχαλκογονίδιων μεταβατικών μετάλλων με χρήση τεχνικής LASER

Μαγουλά, Αικατερίνη; Magoula, Aikaterini

dc.contributor.author	Μαγουλά, Αικατερίνη	el
dc.contributor.author	Magoula, Aikaterini	en
dc.date.accessioned	2024-02-05T09:47:30Z
dc.date.available	2024-02-05T09:47:30Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/58775
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.26471
dc.description	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις”	el
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/gr/	*
dc.subject	LASER-Direct Transfer	el
dc.subject	Δισδιάστατα Υλικά	el
dc.subject	Two-dimensional Materials	en
dc.subject	Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου με κανάλι γραφενίου	el
dc.subject	Graphene Field Effect Transistor (GFET))	en
dc.subject	LASER-Induced Forward Transfer	en
dc.subject	LASER-Induced Backward Transfer	en
dc.title	Μεταφορά γραφενίου και δισδιάστατων διχαλκογονίδιων μεταβατικών μετάλλων με χρήση τεχνικής LASER	el
dc.title	Transfer of graphene and 2D Transition Metal Dichalcogenides using LASER techniques	en
heal.type	masterThesis
heal.classification	Εφαρμοσμένη φυσική	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2023-10-06
heal.abstract	Η συχνότητα των τεχνολογικών ανακαλύψεων, ιδίως στον τομέα της μικροηλεκτρονικής, παρουσιάζει σημαντική αύξηση από τους προηγούμενους αιώνες. Ο 21ος αιώνας βρίσκεται στα θεμέλια μίας πρόσθετης επιστημονικής και τεχνολογικής επανάστασης λόγω της ανόδου του τομέα νανοτεχνολογίας. Οι δυνατότητες αυτού του επιστημονικού κλάδου απαιτούν τη χρήση υλικών, σε κλίμακα νανομέτρου (από 1 έως 100 nm), με αποτέλεσμα τη δημιουργία εργαλείων και διατάξεων που δεν ήταν εφικτές σε παλαιότερες εποχές. Ένα κύριο χαρακτηριστικό που τις πολλαπλές κατηγορίες νανοδομημένων υλικών είναι η διαστασιμότητα, η οποία καθορίζει την ατομική δομή του υλικού αλλά και διαμορφώνει σε σημαντικό βαθμό τις ιδιότητές του. Στα πλαίσια της παρούσας μεταπτυχιακής εργασίας πραγματοποιήθηκε μελέτη της μεταφοράς δισδιάστατων υλικών, μέσω τεχνικής που στηρίζεται στην αλληλεπίδρασή τους με παλμική ακτινοβολία LASER, με στόχο την υψηλής ποιότητας εναπόθεσή τους σε επιλεγμένα υποστρώματα. Πιο συγκεκριμένα, μέσω της τεχνικής LASER-Induced Transfer (τόσο της εμπρόσθιας LASER-Induced Forward Transfer, LIFT, όσο και της οπίσθιας-Backward, LIBT) επιτεύχθηκε μεταφορά γραφενίου, ετεροδομής γραφενίου και εξαγωνικού νιτριδίου του βορίου (hBN), ετεροδομής hBN/Γραφενίου και δισουλφίδιου του βολφραμίου (WS2), ανεπτυγμένων με τη μέθοδο χημικής εναπόθεσης ατμών (CVD), επάνω σε υποστρώματα οξειδίου του πυριτίου. Η ποιότητα των μεταφερόμενων δομών ελέγχθηκε μέσω οπτικής μικροσκοπίας, μικροσκοπίας σάρωσης με δέσμη ηλεκτρονίων (SEM) αλλά και φασματοσκοπίας RAMAN. Τέλος, μετρήθηκε με επιτυχία η ευκινησία των φορέων του γραφενίου έπειτα από τη μεταφορά του μέσω της τεχνικής LIFT και για το συγκεκριμένο σκοπό κατασκευάστηκαν διατάξεις τύπου FET με κανάλι γραφενίου.	el
heal.abstract	The frequency of technological breakthroughs, particularly in the field of microelectronics, has increased significantly since previous centuries. The 21st century is at the foundation of an additional scientific and technological revolution, due to the rise of nanotechnology domain. The potential of this discipline requires the use of materials on a nanometer scale (from 1 to 100 nm), resulting in the creation of tools and devices that were not possible in earlier times. A key characteristic that the multiple classes of nanostructured materials share is dimensionality, which determines the atomic structure of the material but also significantly shapes its properties. In the context of this master thesis, a study of the transport of two-dimensional materials was carried out, through a technique based on their interaction with pulsed LASER irradiation, aiming at their high-quality deposition on selected substrates. More specifically, through the LASER-Induced Transfer technique (both LASER-Induced Forward Transfer, LIFT, and the LASER-Induced Backward Transfer, LIBT), transfer of graphene, graphene heterostructure and hexagonal boron nitride (hBN), hBN/graphene heterostructure and tungsten disulfide (WS2), developed by the chemical vapor deposition (CVD) method, was achieved on silicon oxide substrates. The quality of the transported structures was verified by optical microscopy, scanning electron microscopy (SEM) and also via RAMAN spectroscopy. Finally, the mobility of graphene carriers, after its transfer via the LIFT technique, was successfully measured and for this purpose FET-type devices with a graphene channel were fabricated.	en
heal.advisorName	Ζεργιώτη, Ιωάννα	el
heal.advisorName	Zergioti, Ioanna	en
heal.committeeMemberName	Τσέτσερης, Λεωνίδας	el
heal.committeeMemberName	Tsetseris, Leonidas	en
heal.committeeMemberName	Παπαδόπουλος, Ιωάννης	el
heal.committeeMemberName	Papadopoulos, Ioannis	en
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	105 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false