Μηχανισμοί κατάρρευσης λεπτών υμενίων νιτριδίου του πυριτίου

Κανελλόπουλος, Ιωάννης; Kanellopoulos, Ioannis

dc.contributor.author	Κανελλόπουλος, Ιωάννης	el
dc.contributor.author	Kanellopoulos, Ioannis	en
dc.date.accessioned	2024-07-08T12:33:33Z
dc.date.available	2024-07-08T12:33:33Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/59832
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.27528
dc.description	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις”	el
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/gr/	*
dc.subject	Ημιαγωγοί	el
dc.subject	Ηλεκτρικός Χαρακτηρισμός	el
dc.subject	Νιτρίδιο του πυριτίου	el
dc.subject	Μεμριστορ	el
dc.subject	Μηχανισμοί Κατάρρευσης	el
dc.subject	Dielectric Breakdown	en
dc.subject	Semiconductors	en
dc.subject	Silicon Nitride	en
dc.subject	Memristor	en
dc.subject	Electrical Characterization	en
dc.title	Μηχανισμοί κατάρρευσης λεπτών υμενίων νιτριδίου του πυριτίου	el
dc.title	Dielectric Breakdown Mechanisms of Thin Film Silicon Nitrides	en
heal.type	masterThesis
heal.classification	Semiconductors	en
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2024-02-15
heal.abstract	Η παρούσα διπλωματική εμβαθύνει στον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό της διηλεκτρικής κατάρρευσης σε πέντε παρόμοιες συσκευές μνημαντιστατών οι οποίες εμπεριέχουν το νιτρίδιο του πυριτίου ως διηλεκτρικό. Ο βασικός μας στόχος είναι να κατανοήσουμε καλύτερα τους μηχανισμούς αγωγιμότητας οι οποίοι λαμβάνουν χώρα κατά τη δημιουργία του αγώγιμου νήματος, κάτι το οποίο είναι κεντρικής σημασίας για τον τρόπο λειτουργίας των μνήμών Resistive RAM. Οι μνημαντιστάτες, με τις δυνατότητες τους για την δημιουργία νευρομορφικής αρχιτεκτονικής, σηματοδοτούν την μετατόπιση πέρα από τα όρια του νόμου του Moore και της συμβατικής αρχιτεκτονικής von Neumann. Από τις συσκευές που κατασκευάστηκαν, μια χρησιμεύει ως δείγμα αναφοράς διατηρώντας της στοιχιομετρία της, δυο αποτελούν μη στοιχιομετρικές συνθέσεις και δυο εναπομείναντες περιλαμβάνουν αυξημένες συγκεντρώσεις οξυγόνου. Μέσω της σύγκρισης τριών διαφορετικών μοντέλων - του μοντέλου E, του μοντέλου 1/E και του μοντέλου √E - για την ανάλυση της χρονοεξαρτώμενης κατάρρευσης διηλεκτρικού, θα προσπαθήσουμε να διακρίνουμε τον συγκεκριμένο μηχανισμό αγωγιμότητας που επικρατεί σε κάθε συσκευή	el
heal.abstract	The present thesis delves into the electrical characterization of dielectric breakdown in five similar memristor devices utilizing silicon nitride as their dielectric material. The primary aim is to enhance our understanding of the conduction mechanism during the formation of the conductive filament, a pivotal aspect of the Resistive Random Access Memory (ReRAM) operation mode. Memristors, with their potential for neuromorphic architectures, mark a transition from traditional von Neumann architectures, signaling a shift beyond Moore’s Law. Among the fabricated devices, one serves as a reference, maintaining stoichiometry, while two exhibit non-stoichiometric compositions, and the remaining two incorporate additional oxygen concentration. Through the comparison of three distinct models model E, model 1/E, and model √E — for time-dependent breakdown analysis, we attempt to discern which conduction mechanism takes place in each device.	en
heal.advisorName	Δημητράκης, Παναγίωτης	el
heal.advisorName	Dimitrakis, Panagiotis	en
heal.committeeMemberName	Ράπτης, Ιωάννης	en
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτρης	en
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	115 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false