Μοντελοποίηση και προσομοίωση μνημών μεταβλητής αντίστασης και νευρομορφικών ιδιοτήτων σε LTSpice και Simulink

Χρυσός, Γεώργιος; Chrysos, Georgios

dc.contributor.author	Χρυσός, Γεώργιος	el
dc.contributor.author	Chrysos, Georgios	en
dc.date.accessioned	2025-04-08T08:38:24Z
dc.date.available	2025-04-08T08:38:24Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/61633
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.29329
dc.rights	Default License
dc.subject	Memristor	en
dc.subject	CBRAM	en
dc.subject	SPICE	en
dc.subject	Modeling	en
dc.subject	Μνήμη Μεταβλητής Αντίστασης	el
dc.subject	Μοντελοποίηση	el
dc.title	Μοντελοποίηση και προσομοίωση μνημών μεταβλητής αντίστασης και νευρομορφικών ιδιοτήτων σε LTSpice και Simulink	el
heal.type	bachelorThesis
heal.classification	Ηλεκτρονική	el
heal.classification	Ηλεκτρονική	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2024-10-24
heal.abstract	Η αυξανόμενη ανάγκη για υπολογιστική ισχύ έχει ως αποτέλεσμα τη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας να αποτελεί καίριο ζήτημα για τους σχεδιαστές κυκλωμάτων. Ενώ οι επεξεργαστές γενικού σκοπού βελτιώνονται ακούσια από την κλιμάκωση των transistor, εντούτοις οι μνήμες δεν ακολουθούν την ίδια πρόοδο σε ταχύτητα και κατανάλωση. Υπό αυτό το πρίσμα, εναλλακτικές διατάξεις μνήμης όπως οι μνήμες μεταβλητής αντίστασης (memristors) αποτελούν μια λύση για την δημιουργία μνημών τεράστιας πυκνότητας και μικρής κατανάλωσης ισχύος. Τα memristor είναι μια σχετικά πρόσφατη ανακάλυψη στον τομέα της ηλεκτρονικής που διευρύνει το σύνολο των θεμελιωδών παθητικών στοιχείων. Οι μνήμες μεταβλητής αντίστασης παρουσιάζουν μεγάλο ερευνητικό ενδιαφέρον ως προς τον χαρακτηρισμό τους. Καθώς γίνονται όλο και περισσότερες προσπάθειες για την κατασκευή τους, η ανάγκη για προσομοίωση των ιδιοτήτων τους με βάση τις φυσικές αρχές τους γίνεται πιο εμφανής. Τα memristor χωρίζονται σε δύο μεγάλες κατηγορίες ως προς την διατήρηση της εσωτερικής τους κατάστασης- την πτητική και μη πτητική λειτουργία. Στην πτητική λειτουργία, η εσωτερική κατάσταση επανέρχεται αυτόματα σε μια αρχική σταθερή κατάσταση με την διακοπή της επιβαλλόμενης διέγερσης, ενώ στην μη πτητική λειτουργία το memristor διατηρεί την εσωτερική του κατάσταση και μετά το πέρας της διέγερσης. Οι δύο αυτές κατηγορίες είναι σημαντικές για ένα εύρος εφαρμογών που ποικίλει από μνήμες μεγάλης πυκνότητας ως και νευρομορφικές διατάξεις και εφαρμογές. Σε αυτή την εργασία διερευνούμε τη μοντελοποίηση των conductive filament memristor με βάση τους φυσικούς μηχανισμούς που διέπουν την λειτουργία τους καλύπτωντας και τη μη πτητική και τη πτητική λειτουργία των memristor. Οι δύο αυτές περιπτώσεις περιγράφονται από το ίδιο μοντέλο αλλά με διαφορετικές τιμές των παραμέτρων τους. Επιπλέον, προσομοιώνουμε το μοντέλο κυκλωματικά τόσο σε LTSpice όσο και σε MATLAB/Simulink καθώς και σε DC και σε AC λειτουργία.	el
heal.advisorName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Τσουακλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Σωτηριάδης, Παύλος-Πέτρος	el
heal.committeeMemberName	Χουρδάκης, Εμμανουήλ	el
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Επικοινωνιών, Ηλεκτρονικής και Συστημάτων Πληροφορικής	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	63 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false