HEAL DSpace

Adaptation of the Berkeley Short -channel IGFET Model Code Base for Atomistic BTI/RTN Simulation

Αποθετήριο DSpace/Manakin

Εμφάνιση απλής εγγραφής

dc.contributor.advisor Σούντρης, Δημήτριος el
dc.contributor.author Σταμούλης, Δημήτριος Α. el
dc.contributor.author Stamoulis, Dimitrios A. en
dc.date.accessioned 2013-07-02T07:46:16Z
dc.date.available 2013-07-02T07:46:16Z
dc.date.copyright 2013-06-26 -
dc.date.issued 2013-07-02
dc.date.submitted 2013-06-26 -
dc.identifier.uri https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/8272
dc.identifier.uri http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.12934
dc.description 64 σ. el
dc.description.abstract Στις σύγχρονες CMOS τεχνολογίες παρατηρούνται μη επιθυμητά φαινόμενα μεταβλητότητας κατά τη λειτουργία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Τα τελευταία χρόνια, σημαντική έρευνα επικεντρώνεται σε φαινόμενα που επηρεάζουν την αξιόπιστη λειτουργία ενός κυκλώματος. Δύο τέτοιοι μηχανισμοί με επίδραση στην τιμή της τάσης κατωφλίου ενός FET τρανζιστορ είναι οι μηχανισμοί Bias Temperature Instability (BTI) και Random Telegraph Noise (RTN). Αξιόπιστες προσομοιώσεις των μηχανισμών αυτών είναι απαραίτητες για την ανάπτυξη των κατάλληλων μεθόδων αντιμετώπισης τους. Ένα πρόσφατο θεωρητικό μοντέλο των BTI/RTN μηχανισμών είναι το atomistic model, το οποίο έχει υλοποιηθεί έως τώρα μόνο σε εμπορικά λογισμικά προσομοίωσης. Στην παρούσα εργασία το μοντέλο αυτό ενσωματώνεται σε μια open source έκδοση του περιβάλλοντος προσομοίωσης SPICE. Το προκύπτον εργαλείο είναι αποδοτικότερο σε σχέση με αντίστοιχες προηγούμενες προσεγγίσεις, τόσο σε επίπεδο υλοποίησης όσο και σε επίπεδο χρήστη. Η ορθότητα του εργαλείου επαληθεύεται σε σύγκριση με ήδη δημοσιευμένα αποτελέσματα. el
dc.description.abstract The aggresive downscaling of CMOS technology intensifies both time-zero and time-dependent device variability. During the last years, extensive research on degradation effects has demonstrated their importance for the reliability of downscaled devices. Two mechanisms with an increasingly adverse impact on threshold voltage Vth variations are Bias Temperature Instability (BTI) and Random Telegraph Noise (RTN). Accurate and user-friendly simulation frameworks are crucial for the development of appropriate mitigation techniques. During the last years, an atomistic model that incorporates the transient nature of BTI/RTN mechanisms has been presented. However, this approach is only implemented on top of commercial tools that feature reduced flexibility and increased CPU times. The current thesis proposes the adaptation of the BSIM source code, in order to include the atomistic BTI/RTN model. Using an open source SPICE distribution as a concept vehicle, we developed a SPICE simulator that seamlessly integrates BTI and RTN in transient simulations. The resulting implementation is far more elegant than previous attempts, both from the point of the developer (a single code base) and that of the end-user (no wrapper scripts; only four parameters added to the modelcard). The correctness of the implementation presented herein will be verified against already published results. en
dc.description.statementofresponsibility Δημήτριος Α. Σταμούλης el
dc.language.iso en en
dc.rights ETDFree-policy.xml en
dc.subject Αξιοπιστία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων el
dc.subject Προσομοιώσεις ολοκληρωμένων κυκλωμάτων el
dc.subject Μοντέλο BSIM el
dc.subject Προσομοιωτής SPICE el
dc.subject MOSFET τρανζίστορς el
dc.subject Berkeley Short-channel IGFET Model (BSIM) en
dc.subject Bias Temperature Instability (ΒΤΙ) en
dc.subject Gate Stack Defects en
dc.subject Random Telegraph Noise (RTN) en
dc.subject Reliability en
dc.subject Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) en
dc.subject Transient Circuit Simulations en
dc.title Adaptation of the Berkeley Short -channel IGFET Model Code Base for Atomistic BTI/RTN Simulation en
dc.type bachelorThesis el (en)
dc.date.accepted 2013-06-13 -
dc.date.modified 2013-06-26 -
dc.contributor.advisorcommitteemember Πεκμεστζή, Κιαμάλ el
dc.contributor.advisorcommitteemember Ξανθάκης, Ιωάννης el
dc.contributor.committeemember Πεκμεστζή, Κιαμάλ el
dc.contributor.committeemember Σούντρης, Δημήτριος el
dc.contributor.committeemember Ξανθάκης, Ιωάννης el
dc.contributor.department Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών & Μηχανικών Η/Υ el
dc.date.recordmanipulation.recordcreated 2013-07-02 -
dc.date.recordmanipulation.recordmodified 2013-07-02 -


Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)

Εμφάνιση απλής εγγραφής