HEAL DSpace

Fabrication of Si nano-wires using anisotropic dry and wet etching

Αποθετήριο DSpace/Manakin

Εμφάνιση απλής εγγραφής

dc.contributor.author Normand, P en
dc.contributor.author Tsoukalas, D en
dc.contributor.author Aidinis, C en
dc.contributor.author Tserepi, A en
dc.contributor.author Kouvatsos, D en
dc.contributor.author Kapetanakis, E en
dc.date.accessioned 2014-03-01T01:46:42Z
dc.date.available 2014-03-01T01:46:42Z
dc.date.issued 1998 en
dc.identifier.uri https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/25014
dc.title Fabrication of Si nano-wires using anisotropic dry and wet etching en
heal.type journalArticle en
heal.identifier.primary 10.1016/S0167-9317(98)00129-4 en
heal.identifier.secondary http://dx.doi.org/10.1016/S0167-9317(98)00129-4 en
heal.publicationDate 1998 en
heal.abstract A new process for the fabrication of silicon wires on SOI material using anisotropic dry and wet etching is proposed. Arrays of silicon pads joined by narrow Si wires have been successfully fabricated. The structures are uniform and precisely controlled, thus demonstrating the reliability of the process and its suitability for nano-device applications. en
heal.journalName Microelectronic Engineering en
dc.identifier.doi 10.1016/S0167-9317(98)00129-4 en


Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αρχεία Μέγεθος Μορφότυπο Προβολή

Δεν υπάρχουν αρχεία που σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο.

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)

Εμφάνιση απλής εγγραφής