HEAL DSpace

Structure and Memory Effects of Low Energy Ge-Implanted Thin SiO2 Films

Αποθετήριο DSpace/Manakin

Εμφάνιση απλής εγγραφής

dc.contributor.author Kapetanakis, E en
dc.contributor.author Normand, P en
dc.contributor.author Tsoukalas, D en
dc.contributor.author Beltsios, K en
dc.contributor.author Travlos, T en
dc.contributor.author Gautier, J en
dc.contributor.author Palun, L en
dc.contributor.author Jourdan, F en
dc.date.accessioned 2014-03-01T01:48:21Z
dc.date.available 2014-03-01T01:48:21Z
dc.date.issued 1999 en
dc.identifier.uri https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/25462
dc.relation.uri http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1505532 en
dc.relation.uri http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=01505532 en
dc.subject Low Energy en
dc.subject Memory Effect en
dc.subject Transmission Electron Microscopy en
dc.title Structure and Memory Effects of Low Energy Ge-Implanted Thin SiO2 Films en
heal.type journalArticle en
heal.publicationDate 1999 en
heal.abstract Thin Si02 films have been implanted with Ge+ ions and subsequently annealed. Transmission electron microscopy results indicate that after annealing at 95()oC Ge remains distributed in a band and not in separate pockets. The charge storage effects of the Ge-implanted gate oxide of MaS capacitors have been studied for accumulation conditions through J-V and C-V measurements. A high positive' voltage en


Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αρχεία Μέγεθος Μορφότυπο Προβολή

Δεν υπάρχουν αρχεία που σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο.

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)

Εμφάνιση απλής εγγραφής