Μελέτη ταχύτητας γένεσης επιφανειακών φορέων και πυκνότητας παγίδων διεπιφάνειας στο πυρίτιο, με χαρακτηρισμό διατάξεων διόδων με έλεγχο πύλης και προσομοίωση TCAD

Δίζης, Άγγελος; Dizis, Angelos

dc.contributor.author	Δίζης, Άγγελος	el
dc.contributor.author	Dizis, Angelos	en
dc.date.accessioned	2022-02-02T13:45:58Z
dc.date.available	2022-02-02T13:45:58Z
dc.identifier.uri	https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/54531
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.26240/heal.ntua.22229
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ελλάδα	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/gr/	*
dc.subject	Ανιχνευτής	el
dc.subject	Πυρίτιο	el
dc.subject	Δίοδος	el
dc.subject	Προσομοίωση	el
dc.subject	Ταχύτητα γένεσης	el
dc.subject	Παγίδες διεπιφάνειας	el
dc.subject	Έλεγχος	el
dc.subject	Μετρήσεις	el
dc.subject	Sensor	en
dc.subject	Silicon	en
dc.subject	Diode	en
dc.subject	GCD	en
dc.subject	TCAD	en
dc.subject	Simulation	en
dc.subject	Surface generation	en
dc.subject	Traps	en
dc.subject	Interface	en
dc.subject	Process Quality	en
dc.subject	PQC	en
dc.subject	Measurements	en
dc.subject	CERN	en
dc.subject	CMS	en
dc.subject	Tracker	en
dc.title	Μελέτη ταχύτητας γένεσης επιφανειακών φορέων και πυκνότητας παγίδων διεπιφάνειας στο πυρίτιο, με χαρακτηρισμό διατάξεων διόδων με έλεγχο πύλης και προσομοίωση TCAD	el
dc.title	Study of surface generation velocity and interface trap density in silicon with device characterization and TCAD simulation of gate-controlled diodes (GCD)	en
dc.contributor.department	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Μικροσυστήματα και Νανοδιατάξεις”	el
heal.type	masterThesis
heal.classification	Microelectronics	en
heal.classification	Μικροηλεκτρονική	el
heal.classification	Silicon Sensors	en
heal.classification	Ανιχνευτές Πυριτίου	el
heal.classification	Semiconductor Physics	el
heal.classification	Φυσική Ημιαγωγών	el
heal.language	el
heal.access	free
heal.recordProvider	ntua	el
heal.publicationDate	2021-10
heal.abstract	Το πείραμα CMS στο CERN θα υποβληθεί σε μείζονα αναβάθμιση στην ανιχνευτική διάταξη, ούτως ώστε να μπορέσει να αντεπεξέλθει στα υψηλά επίπεδα ακτινοβολίας και στην υψηλή πολλαπλότητα των αλληλεπιδράσεων στο High Luminosity LHC. Η ανιχνευτική διάταξη, η οποία αποτελείται από αισθητήρες πυριτίου, θα αντικατασταθεί πλήρως από ένα νέο σύστημα που βασίζεται σε n-on-p αισθητήρες πυριτίου, οι οποίοι σχεδιάστηκαν από το CMS και κατασκευάζονται από την HAMAMATSU. Για να είναι εξασφαλισμένο ότι οι αισθητήρες πυριτίου πληρούν όλες τις προδιαγραφές, μια διαδικασία ελέγχου ποιότητας (PQC) αποτελεί αναπόσπαστο κομμάτι της διαδικασίας παραγωγής, έτσι ώστε να εξαχθούν οι απαραίτητες πληροφορίες για τις παραμέτρους διαδικασιών κατασκευής. Για να επιτευχθεί ο έλεγχος αυτός υπάρχουν πολλές διατάξεις ελέγχου στην περιφέρεια των wafer πυριτίου. Μια δίοδος ελεγχόμενη μέσω πύλης περιλαμβάνεται μέσα στις διατάξεις ελέγχου με σκοπό τη μελέτη της ταχύτητας γένεσης επιφανειακών φορέων και της πυκνότητας παγίδων διεπιφάνειας. Ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός, η εξαγωγή παραμέτρων και η σύγκριση με αποτελέσματα προσομοίωσης του λογισμικού Sentaurus TCAD είναι το αντικείμενο μελέτης της παρούσας διπλωματικής εργασίας. Η τελευταία εκπονήθηκε εξ ολοκλήρου στο εργαστήριο οργανολογίας ανιχνευτικών συστημάτων του Ινστιτούτου Πυρηνικής και Σωματιδιακής Φυσικής του Εθνικού Κέντρου 'Ερευνας Φυσικών Επιστημών «Δημόκριτος», υπό την καθοδήγηση, συνεργασία και επίβλεψη του Παναγιώτη Ασσιούρα.	el
heal.abstract	The CMS experiment at CERN will undergo a major upgrade of the detector apparatus in order to cope with the high radiation levels and the high multiplicity of interactions in the High Luminosity LHC. The tracker detector that is made of silicon sensors will be completely replaced by a new system based on n-on-p silicon sensors designed by CMS and fabricated by Hamamatsu. In order to assure that the silicon sensors meet the specifications a process quality control is part of the fabrication procedure in order to extract information on process parameters. This is achieved by including many test-structures in the periphery of the wafer. A Gate-Controlled Diode (GCD) is included in the test-structures in order to study the surface generation velocity and the interface trap density. Electrical characterization, extraction of parameters and comparison with simulation results obtained with Sentaurus TCAD suite is the subject of the study. The latter was completed in Detector Instrumentation Laboratory of Institute of Nuclear and Particle Physics at NCSR DEMOKRITOS, under the supervision, the collaboration and the guidance of Panagiotis Assiouras.	en
heal.advisorName	Παναγιώτης, Ασσιούρας	el
heal.advisorName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Τσουκαλάς, Δημήτριος	el
heal.committeeMemberName	Αλεξόπουλος, Θεόδωρος	el
heal.committeeMemberName	Normand, Pascal
heal.academicPublisher	Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών	el
heal.academicPublisherID	ntua
heal.numberOfPages	116 σ.	el
heal.fullTextAvailability	false