Μελέτη ταχύτητας γένεσης επιφανειακών φορέων και πυκνότητας παγίδων διεπιφάνειας στο πυρίτιο, με χαρακτηρισμό διατάξεων διόδων με έλεγχο πύλης και προσομοίωση TCAD
Αποθετήριο DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Μελέτη ταχύτητας γένεσης επιφανειακών φορέων και πυκνότητας παγίδων διεπιφάνειας στο πυρίτιο, με χαρακτηρισμό διατάξεων διόδων με έλεγχο πύλης και προσομοίωση TCAD
Τίτλος:Μελέτη ταχύτητας γένεσης επιφανειακών φορέων και πυκνότητας παγίδων διεπιφάνειας στο πυρίτιο, με χαρακτηρισμό διατάξεων διόδων με έλεγχο πύλης και προσομοίωση TCAD; Study of surface generation velocity and interface trap density in silicon with device characterization and TCAD simulation of gate-controlled diodes (GCD)