Μελέτη της ανόπτησης με laser σε δομές πυριτίου και πυριτίου πάνω απο μονωτή (SOI) υπο καθεστώς προσομοίωσης. Έγινε χρήση laser KrF καθώς και CO2. Καταγραφή των θερμοκρασιακών κατανομών μετά την ακτινοβόληση καθώς και των κατανομών ενεργών προσμίξεων.
Γενικότερος στόχος ήταν η διατήρηση των θερμοκρασιών κάτω του σημείου τήξης του πυριτίου αλλά και η διατήρηση των διαστάσεων των στρωμάτων και δομών σε επίπεδο λίγων δεκάδων νανομέτρων.
Study of silicon laser annealing and silicon on insulator (SOI) structures under simulation, using KrF and CO2 lasers. We focused on the temperature and active Boron Concentration distributions after the laser annealing, always retaining the temperatures under silicon's melting point level. While also aiming to keep the SOI and SOI structures dimensions in the extent of 50,100-200 nanometers.