HEAL DSpace

Electrical parameters in highly doped strained n-Si1 - xGe x epilayers grown on Si substrates

Αποθετήριο DSpace/Manakin

Electrical parameters in highly doped strained n-Si1 - xGe x epilayers grown on Si substrates

Tsamakis, D; Sargentis, Ch; Kuznetsov, AYu; Lampakis, D
URI: https://dspace.lib.ntua.gr/xmlui/handle/123456789/31060
Ημερομηνία: 2004

Εμφάνιση πλήρους εγγραφής

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αρχεία Μέγεθος Μορφότυπο Προβολή

Δεν υπάρχουν αρχεία που σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο.

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)