Oxidation of nitrogen-implanted silicon: Comparison of nitrogen distribution and electrical properties of oxides formed by very low and medium energy N2+ implantation

Skarlatos, D; Kapetanakis, E; Normand, P; Tsamis, C; Perego, M; Ferrari, S; Fanciulli, M; Tsoukalas, D

Ημερομηνία: 2004

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αρχεία	Μέγεθος	Μορφότυπο	Προβολή
Δεν υπάρχουν αρχεία που σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο.